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S70FS01GSで2つのダイに対応する方法 - KBA228050 - Community Translated (JA)

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S70FS01GSで2つのダイに対応する方法 - KBA228050 - Community Translated (JA)

Community Translated by  HiOm_1802421 Expert           Version: **

Translation - English: How to Support Two Dies for S70FS01GS - KBA228050

1. S25FS512SとS70FS01GSの違い

S25FS512Sデータシートは1つのダイ操作をカバーし、S70FS01GSデータシートは1つのダイのデータシートとの差分をカバーし、1つのダイのデータシートの内容のすべてではないにせよ多くを繰り返しています。 主な違いにハイライトした以下のセクションを参照してください。

2. 1ギガ ビット品が使用するチップセレクトは1つなので、実際には2つのシリコンのICである場合でも、この部品は1つのシリコンのICのように機能しますか?

ある程度はそうです。しかしダイの影響はあります。

サイプレスは、FS512Sダイを設計し、パッケージ内で接続して、1つのダイを下位アドレス ダイとして指定し、もう1つのダイを上位アドレス ダイとして指定できるようにしました。制御信号とデータ信号は並列に配線されているため、チップ イネーブルがアクティブな時は、常に各ダイのコマンド デコーダがアクティブになります。したがって、両方のダイが全てのコマンド トラフィックを待ち受けします。この環境では、コマンドにダイ アドレスを選択するための4バイトのアドレス引数がある場合にのみ、コマンドを1つのダイに独自に割り当てる事が出来ます。A26 = 1の場合は上位ダイ、A26 = 0の場合は下位ダイです。これは、特定の古典的なSPIコマンドを1つのダイに独自に割り当てる事ができないことを意味します。これらはS70FS01GSデータシート(セクション12.4)から切り出されています。これは、サイプレスが主要な機能のためにアドレス引数を持つ新しいコマンドを導入したことも意味します。これらはS70FS01GSデータシートのハイライト表示されたセクションに列挙されています。(セクション12.4、それぞれの新しいコマンドのセクション追加、古いコマンドに関する特別な注意事項、および特定のデバイス特性)

一括消去は、S70FS01GSでは許されない古典的な「アドレス フリー」コマンドの例です。サイプレスは、一括消去が一度に1つのダイでのみアクティブにするために、アドレス引数を取る新しいコマンドを作成しました。このコマンドには、2ダイの使用事例に関する重要な制限があります。サイプレスは、2ダイパッケージは1つのダイ操作だけに限定しました。言い換えると「アドレス フリー」の一括消去は両方のダイで受け入れられるかも知れませんが、この使用例は許されていません。そう言っても、両方のダイで並列で動作するいくつかのコマンド(ビジー時間なし)もあります。(セクション12.4)

リード中、自動インクリメント アドレスは、ダイ境界でロール オーバーします。したがって、2ダイ アドレス空間全体を端から端までリードするには、2つのリード コマンドが必要です。

各ダイは独自のレジスタ セットを持っているため、データシートに準拠するには、これらを正しく同期させる必要があります。

4バイトのアドレス コマンドが使用されている限り、これらのコマンドには常にアドレスが必要であるため、プログラムと消去による影響はありません。ただし、ステータスのリードはダイに依存するため、正しいダイからステータスを取得するにはダイ アドレス引数が必要です。プログラム/消去操作の一時停止と再開にも、新しいコマンドが必要です。

1つのダイでステータスをリードする場合、アドレス引数としてフラッシュ アドレス0x0を使用しても、2つのダイにスケーリングされません。前回のプログラムまたは消去コマンドで使用されたのと同じアドレス引数でステータスをリードする事をお勧めします。このアプローチでは、ステータス リード関数で特別なダイ認識を必要としません。

3. ユーザーは、各フラッシュ レジスタへライトする必要がありますか?

はい。

恐らくデフォルトのレジスタ設定で問題ありません。そうでない場合は、通常は生産プログラム時に標準構成を確立するために一度だけライトする必要があります。これを生産または実行時に行うために、レジスタ アクセス コマンドは4バイトのアドレスを使用してダイを選択します。データシートの次のセクションを参照してください。

  • 9.3.8 Read Any Register (RDAR 65h)
  • 9.3.9 Write Any Register (WRAR 71h)

パッケージ内に2つのダイが存在することで制約されるいつくかのレジスタ設定もあります。これらは、次のセクションのデータシートのハイライトされたセクションで、強調されています。

4. 512Mビットの境界はどのように制御されますか? どのフラッシュがリードまたはライトされているかは、どのように判断したらよいですか?

ダイ固有のコマンドには、4バイトのアドレス引数が必要です。A26 = 0は下位ダイを選択し、A26 = 1は上位ダイを選択します。

以下のデータシートの抜粋は、S70FS01GS (002-03833 Rev *E)のデータシートから取り出したものです。

データシートからハイライトされたセクションのリストは次のとおりです。

4.1     2ページ:Logic Block Diagram

4.2     7ページ:セクション1.2.2.9 – Other Legacy Commands Not Supported ad New Features

4.3     7ページ:セクション1.2.2.10 – New Features

4.4     24ページ:表4 – Thermal Resistance

4.5     27ページ:セクション4.6 – DC Characteristics

4.6     28ページ:セクション4.6.2 – Industrial Plus

4.7     29ページ:セクション4.6.3 – Extended

4.8     31ページ:セクション5.2.1 – Capacitance Characteristics

4.9     40ページ:セクション6.2.2 – Ball Grid Array 24-Ball FBGA

4.10    41ページ:セクション7.2 – Flash Memory Array

4.11    62ページ:セクション8.3 – Block Protection

4.12    72ページ:セクション9.1.2 – FS01GS DDP

4.13    73ページ:脚注

4.14    84ページ:セクション9.3.8 – Read Any Register (RDAR 65h)

4.15    86ページ:セクション9.3.9 – Write Any Register (WRAR 71h)

4.16    90ページ:セクション9.4.3 – Dual I/O Read (DIOR BBh or 4DIOR BCh)

4.17    91ページ:セクション9.4.4 – Quad I/O Read (QIOR EBh or 4QIOR ECh)

4.18    93ページ:セクション9.4.5 – DDR Quad I/O Read (EDh, EEh)

4.19    99ページ:セクション9.6.3 – Bulk Erase (BE 60h or C7h)

4.20    99ページ:セクション9.6.4 – Bulk Erase Addressed (BEA FEh)

4.21    101ページ:セクション9.6.6 – Erase of Program Suspend (EPS 85h, 75h)

4.22    103ページ:セクション9.6.7 – Erase of Program Resume (EPR 7Ah, 8Ah)

4.23    120ページ:表56 – Device Geometry Definition for Bottom Boot Initial Delivery State

4.24    125ページ:表66 – CFI Alternate Vendor-Specific Extended Query Parameter

4.25    134ページ:セクション12.3 – Initial Delivery State

4.26    135ページ:セクション12.4 – FS01GS Behavior and Software Modifications

4.27    136ページ:表69 – FS01GS Parameter Sector Map Options

4.28    137ページ:セクション13 – Ordering Informatio

4.1    2ページ:Logic Block Diagram

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4.2    7ページ:セクション1.2.2.9 – Other Legacy Commands Not Supported ad New Features

4.3    7ページ:セクション1.2.2.10 – New Features

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4.4    24ページ:表4 – Thermal Resistance

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4.5    27ページ:セクション4.6 – DC Characteristics

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4.6    28ページ:セクション4.6.2 – Industrial Plus

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4.7    29ページ:セクション4.6.3 – Extended

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4.8    31ページ:セクション5.2.1 – Capacitance Characteristics

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4.9    40ページ:セクション6.2.2 – Ball Grid Array 24-Ball FBGA

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4.10    41ページ:セクション7.2 – Flash Memory Array

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4.11    62ページ:セクション8.3 – Block Protection

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4.12    72ページ:セクション9.1.2 – FS01GS DDP

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4.13    73ページ:脚注

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4.14    84ページ:セクション9.3.8 – Read Any Register (RDAR 65h)

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4.15    86ページ:セクション9.3.9 – Write Any Register (WRAR 71h)

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4.16    90ページ:セクション9.4.3 – Dual I/O Read (DIOR BBh or 4DIOR BCh)

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4.17    91ページ:セクション9.4.4 – Quad I/O Read (QIOR EBh or 4QIOR ECh)

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4.18    93ページ:セクション9.4.5 – DDR Quad I/O Read (EDh, EEh)

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4.19    99ページ:セクション9.6.3 – Bulk Erase (BE 60h or C7h)

4.20    99ページ:セクション9.6.4 – Bulk Erase Addressed (BEA FEh)

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4.21    101ページ:セクション9.6.6 – Erase of Program Suspend (EPS 85h, 75h)

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4.22    103ページ:セクション9.6.7 – Erase of Program Resume (EPR 7Ah, 8Ah)

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4.23    120ページ:表56 – Device Geometry Definition for Bottom Boot Initial Delivery State

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4.24    125ページ:表66 – CFI Alternate Vendor-Specific Extended Query Parameter

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4.25    134ページ:セクション12.3 – Initial Delivery State

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4.26    135ページ:セクション12.4 – FS01GS Behavior and Software Modifications

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4.27    136ページ:表69 – FS01GS Parameter Sector Map Options

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4.28    137ページ:セクション13 – Ordering Informatio

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‎Jul 05, 2020 10:25 PM
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