Sep 14, 2020
06:22 PM
- Mark as New
- Bookmark
- Subscribe
- Mute
- Subscribe to RSS Feed
- Permalink
- Report Inappropriate Content
Sep 14, 2020
06:22 PM
Hi Jenna-san,
I want to translate the following KBA into Japanese, please confirm to my work.
Thanks andregards,
Kiku
2 Replies
Sep 15, 2020
12:17 AM
- Mark as New
- Bookmark
- Subscribe
- Mute
- Subscribe to RSS Feed
- Permalink
- Report Inappropriate Content
Sep 15, 2020
12:17 AM
Hi, Kiku-san
Confirm to work this KBA.
Thanks,
Jenna
Jenna Jo
Sep 15, 2020
02:16 AM
- Mark as New
- Bookmark
- Subscribe
- Mute
- Subscribe to RSS Feed
- Permalink
- Report Inappropriate Content
Sep 15, 2020
02:16 AM
Hi Jenna-san,
Thank you for your confirmation.
I have translated the following KBA to Japanese.
/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/
【タイトル】
tSCEの明確化
【質問】
Micropower SRAMはデバイスがスタンバイ状態からウェィクアップする時、書き込み時間はtSCEによってのみ決定しますか?
【回答】
はい。データをメモリセルに書き込むために必要な最小の/WEパルスは、書き込みパルス幅(tPWE) と呼ばれます。
このパラメータはメモリを書き込むために、書き込み有効化回路がデータ入力ドライバを内部パスに接続するスピードによって決まります。
さらに、このパラメータは書き込み動作が完了するスピードにも影響を与えます。
従って、動作には下記4つの可能性があります。
- /WEで書き込み開始、/WEで終了
- /CEで書き込み開始、/CEで終了(tSCE)
- /WEで書き込み開始、/CEで終了
- /CEで書き込み開始、/WEで終了(tSCE)
従って、デバイスがスタンバイ状態からウェイクアップ後、/CEによって書き込みが開始された場合(上記2と4のケース)、
tSCEは書き込み時間を制御するパラメータになります。
_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/
Thanks and regards,
Kiku