2 Replies Latest reply on Nov 15, 2020 6:57 PM by NoTa_4591161

    Community Translation - Erase, Program, and Verify Time for S25FL128S, S25FL256S and S25FL512S with 3.0V VIO - KBA219576

    NoTa_4591161

      Hi,               

       

      I would like to translate KBA219576 into Japanese.

      Please confirm to my work.

       

      Thanks,

      Kenshow

        • 2. Re: Community Translation - Erase, Program, and Verify Time for S25FL128S, S25FL256S and S25FL512S with 3.0V VIO - KBA219576
          NoTa_4591161

          Hi Jenna-san,

                                          

          Japanese translation was over.
          Please check below.

           

          Original KBA:

          Erase, Program, and Verify Time for S25FL128S, S25FL256S and S25FL512S with 3.0V VIO - KBA219576

           

          Thanks.

          Kenshow

          ==============================

           

          タイトル: 3.0V VIOを持つS25FL128S、S25FL256S、およびS25FL512Sの消去、プログラム、およびベリフェイ時間 - KBA219576

           

          バージョン:**

           

          質問:

          1. 3.0V VIOS25FL-Sファミリの各メモリを消去、プログラム、およびベリファイするのにどのくらい時間がかかりますか?

           

          回答:

          メモリ容量と典型的であるか最悪の場合であるかによって異なりますが、時間は1分から11分の間です。

          通常の最大時間は、消去、プログラミングのデータシート値、およびプログラミングとベリファイのステップで計算されたシリアル転送時間から計算できます。リストされている各フラッシュファミリのデータシートソース、サンプルデータシートパフォーマンステーブル、および計算値については、以下を参照してください。スプレッドシート計算機も用意されています。

          次のデータシートを参照してください。

           

          ここにS25FL512Sデータシートのパフォーマンステーブルの例を示します。

          同じコアとI / O電圧での最大読み取りレート(V 1O = V CC = 2.7V3.6V                                                                                             

          コマンド

          クロックレート(MH Z

          Mバイト/

          Read

          50

          1. 6.25

          Fast Read

          133

          1. 16.6

          Dual Read

          1043

          26

          Quard Read

          104

          5

           

          プログラムと消去のパフォーマンス                                                                                                                                                         

          シンボル

          パラメータ

          最小

          タイプ(1

          Max2

          単位

          t W

          WRR書き込み時間

           

          560

          2000

          m

          t PP

          ページプログラミング(512バイト)

           

          340

          750/1300(3)

          μ

          t SE

          セクタ消去時間
          256KBのロジックセクタ= 4 x 64KBの物理セクタ

           

          520

          2600

          m

          t BE

          一括消去時間(S25SL512S

           

          103

          460

          ノート:

          1. 一般的なプログラム時間と消去時間は、次の条件を想定しています:25°CV CC = 3.0V; 10,000サイクル; チェッカーボードのデータパターン。
          2. 90°Cの最悪の場合の条件下で;最大10,000サイクル
          3. インダストリアル温度範囲/インダストリアルプラス温度範囲

          添付のスプレッドシートは、参照されているデータシートからパフォーマンスパラメータを取得し、フラッシュアレイサイズ、セクタサイズ、書き込みバッファサイズとともに、デバイス全体の正味時間を計算します。

          • シリアル転送時間の計算では、コマンドオーバーヘッドとシステム側のオーバーヘッドが無視されるため、計算では、クロックごとに転送されるビット、クロック速度、およびデバイス容量を使用して、正味の転送時間が計算されます。
          • 使用可能な書き込みバッファサイズが複数ある場合は、ケースごとに正味のプログラム時間が計算されます。
          • 最良の再プログラミング時間は、最速のシリアル転送時間に2を掛けたもの(プログラミング用に1回の転送、ベリファイ用に1回の転送)、最速の書き込みバッファプログラミング時間、および最速の消去時間です。
          • 緑で強調表示されたセルは、カテゴリの最速時間を示しています。

          最適な再プログラミング時間の使用:

          • 転送時間:最高周波数で最も多くのIO2倍;プログラミング用に1回、ベリファイ用に1回)
          • プログラム時間:最大書き込みバッファサイズ

          消去時間:チップ消去コマンドまたは最大セクタサイズ

           

          S25FL512Sの性能は、インダストリアル(I)とインダストリアルプラス(I +)の温度グレードで異なることに注意してください。

           

           

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          16-Nov-2020

          Kenshow