2 Replies Latest reply on Sep 15, 2020 2:16 AM by KaKi_1384211

    Community Translation - clarify tSCE

    KaKi_1384211

      Hi Jenna-san,

       

      I want to translate the following KBA into Japanese, please confirm to my work.

      clarify tSCE

       

      Thanks andregards,

      Kiku

        • 1. Re: Community Translation - clarify tSCE
          JuyoungJ_06

          Hi, Kiku-san

          Confirm to work this KBA.

           

          Thanks,

          Jenna

          • 2. Re: Community Translation - clarify tSCE
            KaKi_1384211

            Hi Jenna-san,

             

            Thank you for your confirmation.

            I have translated the following KBA to Japanese.

            clarify tSCE

             

            /_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/

            【タイトル】

            tSCEの明確化

             

            【質問】

            Micropower SRAMはデバイスがスタンバイ状態からウェィクアップする時、書き込み時間はtSCEによってのみ決定しますか?

             

            【回答】

            はい。データをメモリセルに書き込むために必要な最小の/WEパルスは、書き込みパルス幅(tPWE) と呼ばれます。

            このパラメータはメモリを書き込むために、書き込み有効化回路がデータ入力ドライバを内部パスに接続するスピードによって決まります。

            さらに、このパラメータは書き込み動作が完了するスピードにも影響を与えます。

            従って、動作には下記4つの可能性があります。

            1. /WEで書き込み開始、/WEで終了
            2. /CEで書き込み開始、/CEで終了(tSCE)
            3. /WEで書き込み開始、/CEで終了
            4. /CEで書き込み開始、/WEで終了(tSCE)

            従って、デバイスがスタンバイ状態からウェイクアップ後、/CEによって書き込みが開始された場合(上記24のケース)

            tSCEは書き込み時間を制御するパラメータになります。

            _/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/

             

            Thanks and regards,

            Kiku