2 Replies Latest reply on Aug 23, 2020 9:22 PM by NoTa_4591161

    Community Translation - Flash Write Fail in CY8C201x0 Devices - KBA85520

    NoTa_4591161

      Hi,               

       

      I would like to translate KBA85520 into Japanese.

      Please confirm to my work.

       

      Thanks,

      Kenshow

        • 1. Re: Community Translation - Flash Write Fail in CY8C201x0 Devices - KBA85520
          JuyoungJ_06

          Hi, Kenshow-san

          Confirm to work this KBA.

           

          Thanks

          Jenna

          • 2. Re: Community Translation - Flash Write Fail in CY8C201x0 Devices - KBA85520
            NoTa_4591161

            Hi Jenna-san,

                                            

            Japanese translation was over.
            Please check below.

             

            Original KBA:

            Flash Write Fail in CY8C201x0 Devices - KBA85520

             

            Thanks.

            Kenshow

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            タイトル: サイCY8C201x0デバイスでのフラッシュ書き込みの失敗 - KBA85520プレスタイトル

             

            バージョン:*A

             

            質問:

            CY8C201x0デバイスで「write configuration to flash」コマンドが失敗するのはなぜでしょうか?

             

            回答:

            一部のデバイスでは、3.0 V未満の動作電圧でフラッシュ書き込みが失敗します。主な理由は、より低い動作電圧でCPUクロック周波数が低下することです。その結果、「フラッシュ書き込み」ルーチンに時間がかかり、ルーチンが完了する前にウォッチドッグリセットが発生します。この問題は通常、ILOが比較的高速なデバイスで発生します(ILOがデータシートの仕様内としても)。

            回避策:

            スリープタイマーの有効期限が3回切れるとウォッチドッグリセットがトリガーされるため、設定をフラッシュに保存する前に、スリープタイマーの周波数(I 2 Cで設定可能)を8 Hz以下(V dd <3.0Vの場合)に下げます。

             

             

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            24-August-2020

              Kenshow