Community Translation - Data Retention Procedure for Async SRAM's

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cross mob
KaKi_1384211
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Hi Jenna-san,

I want to translate the following KBA into Japanese, please confirm to my work.

Data Retention Procedure for Async SRAM's

Thanks and regards,

Kiku

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JennaJo
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Hi, Kiku-san

Confirm to work this KBA.

Thanks,

Jenna

Jenna Jo
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KaKi_1384211
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100 replies posted 50 replies posted 50 questions asked

Hi Jenna-san,

Thank you for your confirmation

I have translated the following KBA to Japanese

Data Retention Procedure for Async SRAM's

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【タイトル】

非同期SRAMのデータ保持手順について。

【質問】

Cypress非同期SRAMを使用して、バッテリーバックアップされたSRAM、及び RTCを設計します。

そのため、数日間のバックアップ時間を確保するためにスーパーキャパシタを使用します。

その際、/CE/WE/OEVccBATTにプルアップする必要はありますか?

他に何か考慮する必要はありますか?

【回答】

/CE1をプルアップするだけで十分です。これによりChipの選択が解除されます。

SRAMChipイネーブルピン(/CE1、またはCE2) のいずれかを使用して、Chipを選択、または 選択解除できます。

この場合、/CE1を使用して、Chipの選択を解除する場合は、CE2を常にHighに接続された状態にします。

/CEがプルアップされている時に/WE/OEを制御する必要はありませんが、/WE/CEがトグルしていると

デバイスが電流を消費している可能性がありますので、注意してください。

データを保持するために、Vcc0Vに落としてはいけません。

SRAMがデータを保持できる最低限の電圧までしか、低下させることはできません。

(データシートのデータ保持モードの特性に明記されています。)

また、電圧をVcc以下に下げる前に、/CEをプルアップする必要があります。

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Thanks and regards,

Kiku

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