2 Replies Latest reply on May 13, 2020 6:05 PM by MaMi_1205306

    Community Translation - Voltage Ramp Rate Required for F-RAM™ Devices - KBA20427

    MaMi_1205306

      Hi,

       

      I would like to translate KBA20427 into Japanese, please confirm to my work

       

      Regards,

      Masashi

        • 1. Re: Community Translation - Voltage Ramp Rate Required for F-RAM™ Devices - KBA20427
          JuyoungJ_06

          Hello, Masashi-san

          Yes, it's good to translate.

           

          Please work to do that.

           

          Thanks,

          Jenna

           

           

          • 2. Re: Community Translation - Voltage Ramp Rate Required for F-RAM™ Devices - KBA20427
            MaMi_1205306

            Jenna-san,

             

            I have finished translating Japanese.
            Please check the following.

             

            Regards,

            Masashi

             

            /************************************************************************************************************************/

             

            Voltage Ramp Rate Required for F-RAM™ Devices - KBA204270

             

            F-RAM™デバイスに必要な電圧のランプレート-KBA204270

            Version: **

             

            質問:

             

            F-RAMデータシートで指定されているランプレートの値よりも速く電源をランプアップさせることは可能ですか?

             

            回答:

            F-RAMのデータシートに記載されているtVR とtVF のパラメータは、

            サイプレス社のFRAMデバイスに必要なパワーアップおよびパワーダウンランプレートを指定します。

            時間の単位はµs / Vで指定されており最小値がスペックされています。 この値は電源電圧が1 Vの変化に必要な最小時間です。

            例:部品FM24CL16Bの場合、tVR = 30 µs / V

            この部品はパワーアップのランプレートが30 µs / Vを超える条件で正しく動作します。

            つまり、適切な動作のために電源がゆっくりとランプアップする必要があります。

            ただし、電源が30 µs / Vより速く立ち上がるとF-RAMとして望ましくない動作が発生します。

            パワーアップ/ダウンランプレートがデータシートの制限を超えた場合、サイプレスはF-RAMの適切な動作を保証しません。

            詳細については、下の図を参照してください。