2 Replies Latest reply on Apr 2, 2020 1:56 AM by JuyoungJ_06

    Community Translation - KBA#52 - Rapid Cycling and Data Retention – KBA220414

    KaKi_1384211

      Hi,

       

      I will translate KBA#52 to Japanese.

      Rapid Cycling and Data Retention – KBA220414

       

      Thamks and regards,

        • 1. Re: Community Translation - KBA#52 - Rapid Cycling and Data Retention – KBA220414
          KaKi_1384211

          【タイトル】

          Rapid Cyclingとデータ保持の関係について

          * Rapid Cycling = 連続で消去コマンド実行

           

          【質問】

          Rapid Cyclingとは?? また、それはFlash Memoryのデータ保持期間にどのような影響を及ぼしますか?

           

          【回答】

          Flash Memoryはデータを格納するために不揮発性セルを使用します。ファイルシステムのようないくつかのアプリケーションでは、

          データは随時アップデートされます。

          そのため、新しいデータを格納するための領域を確保するために、古いデータを消去する必要がある場合、

          Sector EraseコマンドによってFlashSectorに対して、消去を実行する必要があります。

          その消去によって、消去対象となったSectorの全てのbit “1” になります。

          それによって、その対象となったSectorへの新しいデータを書き込める準備が整いました。

          書き込みはbit “1” から “0” に変更する動作になります。これらの書き込み動作と消去動作は必要に応じて、Sectorで繰り返されます。

           

          このような書き込み動作、及び 消去動作の繰り返しは、書き込み/消去サイクル(Program/Eraseサイクル, P/Eサイクル) と呼ばれています。

          通常、NOR FlashSector毎のP/Eサイクル回数は100K回相当です。

           

          連続するP/Eサイクルの間隔が非常に短い場合(例えば90秒未満等) は、Rapid Cyclingと呼ばれています。Rapid CyclingFlash Memory

          データ保持期間に影響を及ぼします。これは、各々の消去動作によって発生するデトラップ準位がP/Eサイクルの間隔で解消されるために必要な時間です。

          消去後に、このトラップ準位を解消する時間が確保できない場合、そのSectorのデータ保持時間が短くなります。

           

          Cypress MirrorBit Technology製品の場合、1日当たり1000P/Eサイクルを超えないようにシステム構築することを推奨します。

          この1日当たり1000P/Eサイクルとは、特定Sectorにおける連続したP/Eサイクルの間隔が90秒にほぼ相当します。

           

          Rapid Cyclingが発生し得る2つの一般的な使用方法を述べます。

           

          最初の使用方法は製品の評価試験、もしくは 認定評価試験中に発生します。この場合、ユーザーは市場条件より加速させた条件にて、

          評価するために敢えて高いP/Eサイクルの負荷をFlash Memoryへかけます。このような加速寿命評価において、いくつかのSector

          Rapid Cyclingを適用するとFlashのデータ保持で不具合が発生する可能性があります。そのような不具合は有効な加速寿命評価結果

          ではありません。それはFlash Memoryの誤った使用方法に該当します。

           

          主な対処方法は、推奨のP/Eサイクル回数以下に減らす、P/Eサイクルの間隔を広げる、またはP/Eサイクルを実施するSector数を増やす等によって、

          評価における連続したP/Eサイクルの回数によるFlash Memoryにかかる負荷を削減することです。

           

          2番目の使用方法は非常に少ない範囲のSectorに対し、書き込み負荷が大きいようなデータストレージアプリケーションで発生します。

          主な対処方法は書き込み対象のSector数を増やすことです。このような状況は書き換えがほとんどない静的データの割合が高いパーティション

          書き込み負荷が非常に高い動的パーティションの割合が少ないといった極端な状況のFlash File SystemFlash Block Driverでも発生し得ます。

          主な対処方法としては、静的ウェアレベリングをより早く実行することです。もう一つは、動的データセット(パーティション) で使用できるSector数を増やすことです。

          Sector数が増やせない、または 静的ウェアレベリングのアルゴリズムが役に立たない場合は、書き込み負荷を低減する必要があります。

           

          Rapid Cyclingとデータ保持の詳細に関しては、Cypress Application NoteAN99121、及び AN98549を参照してください。

           

          • 2. Re: Community Translation - KBA#52 - Rapid Cycling and Data Retention – KBA220414
            JuyoungJ_06

            Hello,

            We receive your translation, and this KBA is claimed to translate.

            I will get back to you after conducting internal review.

             

            Thanks for your contribution!,

            Jenna Jo