1 Reply Latest reply on Sep 3, 2019 2:42 AM by RoyL_01

    对Flash擦写寿命参数有些疑惑

    HuYa_4348911

      我们现在在测试以下型号的Flash

      S29GL01GS11TFI010

      S29GL512S11TFIV10

      S29GL512S10TFI010

      S29GL512S11TFIV10

      S29GL512S11TFIV10

      S29GL01GS11TFIV10

      S25FL128SAGMFI001

      测试使用过程中,我们对擦写寿命参数有些疑惑,希望帮忙解答,并提供设计指导。谢谢。

       

      1、关于擦写次数的指标:规格书中"Typical 100K P/E endurance cycle"这个典型值,是指多大概率下的典型值?一般最小值是多少?

       

      2、擦写寿命还与哪些参数有关,比如电源纹波、温度、湿度、上掉电等,希望能够给出相应的曲线或者提供相应的参数设计指导原则等。比如:有些EEPROM在规格书中对比了25℃和85℃的耐久性,写周期分别是400万和120万,由于温度参数影响大,是否对于其他类型的储存器也适用?flash芯片耐久性 温度升高到85℃时,100K擦写是否变到了30K

       

      3、为了使存储器使用寿命尽量长,有什么设计建议,包括软硬件。

       

      谢谢。