3 Replies Latest reply on Jun 13, 2018 3:15 AM by zana_2881746

    S29JL032J70TFI020 温度環境の影響について

    toyac_1469256

      S29JL032J70TFI020を実装した基板を、55℃又は-5℃の環境に数時間保管した後に、

      通電すると、フラッシュメモリーのアクセス(イレース・ライト・リードチェック)がデータシートのスペック内ですが、非常に遅くなりました。

      一度遅くなった基板はこれ以降も遅いのですが、このような現象、傾向は起こりますでしょうか?

       

       

        • 1. Re: S29JL032J70TFI020 温度環境の影響について

          下記について確認させてください。

          1.具体的にどのアクセス(Erase or Program)が、どの程度遅くなったのか?

          2.保管前と保管後での条件の違い(データパターン等)

          3.実際にイレース・ライト・リードしている温度は?

           

          よろしくお願いいたします。

          Nada

          • 2. Re: S29JL032J70TFI020 温度環境の影響について
            toyac_1469256

            1.具体的にどのアクセス(Erase or Program)が、どの程度遅くなったのか?

             → 10倍程度遅くなった感覚です。

             

            2.保管前と保管後での条件の違い(データパターン等)

             → 違いはありません。

             

            3.実際にイレース・ライト・リードしている温度は?

             → 常温(15~25℃付近)です。

             

            宜しくお願い致します。

            • 3. Re: S29JL032J70TFI020 温度環境の影響について

              55℃ または -5℃での放置により、消去や書き込み時間が長くなることはありません。

              データシートで規定している消去や書き込みのMax値は、90℃, Vcc=2.7V, 100万回消去後という最悪条件下での時間です。

               

              アクセス(Erase or Program)が、10倍程度遅くなったと言われますが、実際に消去、書き込みに要している時間について、オシロスコープ等を使用しデバイスのRY/BY#信号のLow期間を測定していただけますか?

               

              Nada