CY7C25652KV18-500BZXI ＆ CY7C1565KV18-500BZXI について

[toyac_1469256]

初めてQDRⅡのSRAMを使用します。

CY7C25652KV18-500BZXIとCY7C1565KV18-500BZXIの違いは何ですか？

上記2品番の製品を使用する上で

AC特性、電源設計等の注意点はありますか？

読出し時の注意点はありますか？

[Anonymous]

CY7C25652KV18-500BZXI（EOL品）はODT機能のあるデバイス、CY7C1565KV18-500BZXIはODT機能のないデバイスです。

ODT機能については下記のアプリケーションノートにご参照ください。

http://www.cypress.com/file/38621/download http://www.cypress.com/documentation/application-notes/an42468-die-termination-qdrr-iiddr-ii-srams

ODT 機能のあるデバイスでは、165 ボール BGA パッケージのピン R6 が ODT 範囲選択用に使用されますが、

ODT機能のないデバイスでは、ピン R6 がNCピンになります。

ACスペックには違いはありません。

QDR®-II、QDR-II+、DDR-II、DDR-II+ 設計ガイドについては以下のアプリケーションノートにご参照ください。

http://www.cypress.com/file/38606/download

また、電源投入時の注意は下記に記載があります。

Applying Vdd and Vddq during QDRII/DDRII power up sequence

よろしくお願いいたします。

Nada

[toyac_1469256]

回答ありがとうございます。

Write動作とRead動作は4Wordづつ交互に行うようにデータシートに記載あるかと思いますが、

Write動作だけ、Read動作だけを連続して行うことは出来るのでしょうか？

[toyac_1469256]

CY7C25652KV18-500BZI　は有鉛品かと思いますが、Pb-Free品の量産はしないのでしょうか？

[Anonymous · Accepted solution]

Write動作だけ、Read動作だけを連続して行うことはできません。

デバイスへのWrite/Readアクセスは、連続する2つのKクロックの立上りでは開始できません。

連続アクセスをすると、デバイスの内部ロジックは、2回目のWrite/Read要求を無視します。

申し訳ないですが、CY7C25652KV18-500BZIのPb-Free品 (CY7C25632KV18-500BZXI)はEOL品になっております。

よろしくお願いいたします。

Nada