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初めてQDRⅡのSRAMを使用します。
CY7C25652KV18-500BZXIとCY7C1565KV18-500BZXIの違いは何ですか?
上記2品番の製品を使用する上で
AC特性、電源設計等の注意点はありますか?
読出し時の注意点はありますか?
解決済! 解決策の投稿を見る。
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Write動作だけ、Read動作だけを連続して行うことはできません。
デバイスへのWrite/Readアクセスは、連続する2つのKクロックの立上りでは開始できません。
連続アクセスをすると、デバイスの内部ロジックは、2回目のWrite/Read要求を無視します。
申し訳ないですが、CY7C25652KV18-500BZIのPb-Free品 (CY7C25632KV18-500BZXI)はEOL品になっております。
よろしくお願いいたします。
Nada
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CY7C25652KV18-500BZXI(EOL品)はODT機能のあるデバイス、CY7C1565KV18-500BZXIはODT機能のないデバイスです。
ODT機能については下記のアプリケーションノートにご参照ください。
http://www.cypress.com/file/38621/download http://www.cypress.com/documentation/application-notes/an42468-die-termination-qdrr-iiddr-ii-srams
ODT 機能のあるデバイスでは、165 ボール BGA パッケージのピン R6 が ODT 範囲選択用に使用されますが、
ODT機能のないデバイスでは、ピン R6 がNCピンになります。
ACスペックには違いはありません。
QDR®-II、QDR-II+、DDR-II、DDR-II+ 設計ガイドについては以下のアプリケーションノートにご参照ください。
http://www.cypress.com/file/38606/download
また、電源投入時の注意は下記に記載があります。
Applying Vdd and Vddq during QDRII/DDRII power up sequence
よろしくお願いいたします。
Nada
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回答ありがとうございます。
Write動作とRead動作は4Wordづつ交互に行うようにデータシートに記載あるかと思いますが、
Write動作だけ、Read動作だけを連続して行うことは出来るのでしょうか?
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CY7C25652KV18-500BZI は有鉛品かと思いますが、Pb-Free品の量産はしないのでしょうか?
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Write動作だけ、Read動作だけを連続して行うことはできません。
デバイスへのWrite/Readアクセスは、連続する2つのKクロックの立上りでは開始できません。
連続アクセスをすると、デバイスの内部ロジックは、2回目のWrite/Read要求を無視します。
申し訳ないですが、CY7C25652KV18-500BZIのPb-Free品 (CY7C25632KV18-500BZXI)はEOL品になっております。
よろしくお願いいたします。
Nada