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PSoC 4 MCU

RyYo_1406951
Contributor II

Please answer below.
The same question is written in English and Japanese.

・English
What can I do with "Unprotected" (U) and "Full Protection" (W)?

think as follows. Is this correct?
"Unprotected" (U) → bootloader, self-rewritable
"Full Protection" (W) → bootloader, self-rewriting not possible

・Japanese(日本語)
“Unprotected”(U)、“Full Protection”(W)はどのようなことができる設定ですか?

以下、理解で間違いないでしょうか?
“Unprotected”(U)→bootloader,自己書き換え可能
“Full Protection”(W)→bootloader,自己書き換え不可能

Regards

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1 Solution
MotooTanaka
Esteemed Contributor

以下のように訳してみましたが、如何でしょうか?

================

14.2.2 フラッシュ・セキュリティ

PSoC 4 デバイスはフラッシュメモリへのアクセスを制御する柔軟なフラッシュ保護システムを内蔵しています。この機能は知財コードを保護することが出来るように設計されていますが、意図しないフラッシュ内のブートローダ領域への書込みを防ぐことにも使うことが可能です。

フラッシュメモリは行(row)で構成されています。

そして行毎に2つの保護レベルの内の一つを設定することが可能です;

テーブル 14-1 をご参照ください。

フラッシュの保護レベルはフラッシュの全消去を行わない限り変更できません。

詳細については P297 の 不揮発性メモリのプログラムに関する章をご参照ください。

テーブル  14-1 フラッシュの保護レベル

Unprotected

許可 

 外部からの読み書き

 内部からの読み書き

Full Protection

許可

 外部からの読み出し

 内部からの読み出し

禁止(拒否)

 外部からの書込み

 内部からの書込み

================

000-Manual.JPG

moto

View solution in original post

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MotooTanaka
Esteemed Contributor

以下のように訳してみましたが、如何でしょうか?

================

14.2.2 フラッシュ・セキュリティ

PSoC 4 デバイスはフラッシュメモリへのアクセスを制御する柔軟なフラッシュ保護システムを内蔵しています。この機能は知財コードを保護することが出来るように設計されていますが、意図しないフラッシュ内のブートローダ領域への書込みを防ぐことにも使うことが可能です。

フラッシュメモリは行(row)で構成されています。

そして行毎に2つの保護レベルの内の一つを設定することが可能です;

テーブル 14-1 をご参照ください。

フラッシュの保護レベルはフラッシュの全消去を行わない限り変更できません。

詳細については P297 の 不揮発性メモリのプログラムに関する章をご参照ください。

テーブル  14-1 フラッシュの保護レベル

Unprotected

許可 

 外部からの読み書き

 内部からの読み書き

Full Protection

許可

 外部からの読み出し

 内部からの読み出し

禁止(拒否)

 外部からの書込み

 内部からの書込み

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000-Manual.JPG

moto

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