I checked the datasheet and website in search of ESD information and could not find any specific to P/N S25FL064LABNFI011. I would like to obtain ESD Voltage Rating Information for HBM per JEDEC JS-001 and CDM per JEDEC JESD22-C101 on the following device P/N S25FL064LABNFI011. Thanks.
Show LessI am looking through the datasheet and website information regarding the technology used in P/N S25FL064LABNFI011, but not able to find anything. Can you please advise, is this part CMOS, Bipolar, BiCMOS, or other?
Show LessHi, What is the absolute max junction temperature and max recommended operating junction temperature of S29GL512S10TFI02 (industrial) and S29GL512S10TFV02 (industrial plus)? Both are TSOP-56 package. The datasheet gives max Ta (ambient operating temperature) but does not give max rated junction temperature Tj. Thanks,
Show LessHello,
I am looking for a cross for Adesto's AT25SF041-SSHD-B.
The absolute size can be larger. However, the SPI serial interface and register set have to be exactly the same.
Thank you!
Show LessMPN:S29AL008J55TFIR20
瞬時停電(時間にすると数ns)が発生した場合の挙動について下記2点について教えてください。
〇瞬時停電直後から一定時間が経過してから、通常パワーオン時と同じ挙動に復帰と考えて良いか。
〇復帰にどのくらいの時間がかかるか。
(例えばデータシート17.2項の図17.2において、リセット解除後にはtRH(=50ns)で復帰しています。
これと同等と考えてよいのか、または全く違った数値になるか)
以上宜しくお願い致します。
上記について具体的な数値があればベストですが、無ければ多少でも参考にできるような資料または情報をいただけると助かります。
Show Less代替候補品についてご確認したい点がある為、ご回答をお願い致します。
製造中止品:S29GL032N90TFI010 32Mbit
代替候補品: S29GL128S90TFI010 128Mbit
1.製造中止品に対し、代替替候補品はメモリ容量が増える為、アドレス線が2本多くなります。
(2pin:A21、15pin:A22が増えます。製造中止品は共にN.C。)
代替候補品のアドレスピン:A21、A22は未接続のままとすることで
32Mbit品として使用する事は可能でしょうか。
デバイス内部にプルアップ等、信号レベルを固定する回路は有るでしょうか。
2.また、使用コマンドについては互換性が有ると考えて良いでしょうか。
Show LessNOR Flashに関する質問です。
該当製品は下記になります。
製品:S25FL256LAGNFM010
S25FL256LAGNFB010
上記ICに下記機能が実装されているかどうかご教授ください。
***************************
暗号化操作、セキュリティキー管理、ランダム番号生成などの機能を
部分的または完全に実装し、次のいずれかの機能を備えた統合回路チップ。
キー長が64ビットを超える対称暗号化アルゴリズム、
キー長が768ビット以上の整数因数分解に基づく非対称暗号化アルゴリズム、
またはキー長が128ビット以上の楕円曲線に基づく非対称暗号化アルゴリズムが
含まれています。
キー長が768ビット以上の整数因数分解に基づく非対称暗号化アルゴリズム、
またはキー長が楕円曲線に基づくキー長が128ビット以上の非対称暗号化アルゴリズムが
含まれています。
また、対称暗号化アルゴリズムの暗号化および復号化速度は10Gbps以上、
或は非対称暗号化アルゴリズムの署名速度は1秒あたり50,000回以上になっています。
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以上、宜しくお願いします。 伯東 二宮
Show LessI used s25fl512.
I want to program single byte programming. 9.5.1.3 in datasheet.
Dose it take 750 micro (9.10 data sheet )like Page Programming or less.
If the answer is less. how can i know how much time it takes?
thanks
Ely
Show LessHi Team,
In our project we are using the SPI based NOR flash chip as a slave, whose ordering part number is S25FL256SAGMFI000. As mentioned in the data sheet the sectors are organized as per the Ordering Part Number i.e. in our case the sectors are A Hybrid of 32 * 4-KBsectors with all remaining sectors being 64KB sectors with 256B programming Buffer. But when we actually see in the Data sheet section 8.2 Flash Memory Array, we have found there are two ways that these sectors can be arranged, which are Bottom 4Kbyte or Top 4Kbyte. We wanted to know what are the factors which decides the organization of these sectors for this NOR flash chip.
Secondly, When 4P4E command sent for erasing the 4-KB sector, after the command the data sheet suggests to pass the 4byte address, in that case with this command, which of the addresses will get erased? What happens if the address passed is lies in the middle of the sector? whether it will erase 4KB size, continuing from that address or erase the 4KB sectors where the address lies?
Regards,
Shivam
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