Nor Flash

[toyac_1469256]

S29JL032J70TFI020を実装した基板を、55℃又は-5℃の環境に数時間保管した後に、

通電すると、フラッシュメモリーのアクセス（イレース・ライト・リードチェック）がデータシートのスペック内ですが、非常に遅くなりました。

一度遅くなった基板はこれ以降も遅いのですが、このような現象、傾向は起こりますでしょうか？

[Anonymous]

下記について確認させてください。

1．具体的にどのアクセス（Erase or Program）が、どの程度遅くなったのか？

2．保管前と保管後での条件の違い（データパターン等）

3．実際にイレース・ライト・リードしている温度は？

よろしくお願いいたします。

Nada

[toyac_1469256]

1．具体的にどのアクセス（Erase or Program）が、どの程度遅くなったのか？

　→　10倍程度遅くなった感覚です。

2．保管前と保管後での条件の違い（データパターン等）

　→　違いはありません。

3．実際にイレース・ライト・リードしている温度は？

　→　常温(15～25℃付近)です。

宜しくお願い致します。

[Anonymous]

55℃ または -5℃での放置により、消去や書き込み時間が長くなることはありません。

データシートで規定している消去や書き込みのMax値は、90℃, Vcc=2.7V, 100万回消去後という最悪条件下での時間です。

アクセス（Erase or Program）が、10倍程度遅くなったと言われますが、実際に消去、書き込みに要している時間について、オシロスコープ等を使用しデバイスのRY/BY#信号のLow期間を測定していただけますか？

Nada