S25FL512SAGMFIG10のステータスレジスタへの書き込みに関して

[ToIk_1341346]

MPN：S25FL512SAGMFIG10のステータスレジスタへの書き込みに関して、3点質問いたします。

１）ステータスレジスタの書き込み時間

S25FL512SAGMFIG10

Document Number: 001-98284 Rev. *Oでは、以下のようにmax 2000msとなっております。

これがS25FL128S/S25FL256Sのデータシート（Document Number: 001-98283 Rev. *O）では

となっておりました。

この2品番で、ステータスレジスタ書き込み（WRRコマンド）で、最大値が

S25FL512S　　　　　　：max2000 ms

S25FL128S/S25FL256S　：max 500 ms

と、大きく違うのですが、どういった理由でしょうか？

２）ステータスレジスタ書き込み時間の他社比較

他社のステータスレジスタの書き込み時間はmax 20ms とかのものがあります。

これに関し、Cypressの書き込み時間は、書き込み条件などが違っているので大きな値となっている、という事はありませんでしょうか？

３）同じ値を書き込んだ場合

WRRコマンドで、その時点のステータスレジスとコンフィギュレーションレジスタの値と同じ値を書き込んだとします。

その場合、

S25FL512S：typ 560ms、max2000 msという値は「格段に短くなる」と考えられるでしょうか？

言い換えると、

同じ値を書き込んだ後、ステータスレジスタのWIPが0になるまでの時間は、違う値を書き込む場合に比べ格段に短いでしょうか？

以上宜しくお願い致します。

[RyanZhao · Accepted solution]

１）それは、各シリーズの設計段階でのcharacteritic テストによって保証されております。

２）各社のテスト方法は異なる場合があります。新データシート(S25FL128S/S25FL256SのNote-53とNote-54, S25FL512SのNote-49とNote-50)によると、TYP値またはMAX値のいずれかが10000 cyclesでテストされました。最悪の場合（10000サイクル）は、WRR Write Timeが新デバイスと大きく異なる可能性もあります。最新版のデータシートをご参照ください。

S25FL128S/S25FL256S: https://www.cypress.com/documentation/datasheets/s25fl128ss25fl256s-128-mb-16-mb256-mb-32-mb-30v-spi...

S25FL512S: https://www.cypress.com/documentation/datasheets/s25fl512s-512-mb-64-mb-30-v-spi-flash-memory

３）はい。 可能です。それで、こちらのSpecテストはcheckerboard dataパターン(010101, 101010, 010101...)を使用して行われました。このパターンですが、最悪のシナリオと考えられています。

以上、宜しくお願い致します。