Hi AIko-san,
Thank you for the assignment.
I tried to translate this KBA227433 into Japanese.
Please check below.
----------------------------------------------------------------
バージョン*.*
タイトル：サイプレス SPI NOR フラッシュデバイスからの、出力データのサンプリングについて – KBA227433
質問：
tv時間(クロックの立下りエッジから出力データが有効となるまでの時間）が最大(tvmax)の時に、Cypress SPI NOR Flash デバイスからの出力データをサンプリングする方法は？
回答：
フラッシュの視点から、どのようにtVパラメータが定義されているか理解するため、図１.を参照してください。
図１．
本フラッシュデバイスは、リード動作時に、クロック(SCK)の立下りエッジ後のｔｖ時間後からデータを出力します。そしてそれは、次のクロック(SCK)の立下りエッジ後のｔHOの期間までSPIバス上で有効です。正しいデータをMCUがサンプリングするためのデータが有効な期間は下式の通りです。
データ有効期間 = クロック幅 (tPSCK) – tV(max) + tHO
MCUは、データ有効期間をもとに、フラッシュからのリード中に、データをいつサンプリングするかを決定する必要があります。
そのため、読み出し動作が実行できる最大の周波数は、MCUが要求するデータ有効期間、および、データのセットアップ時間とホールド時間の要件により異なります。
入力のセットアップ時間:
フラッシュコントローラーがデータを入力する時に、クロックのアクティブエッジの前のデータが安定していなければならない期間。
入力ホールド時間：
フラッシュコントローラがデータを入力する時に、クロックのアクティブエッジの後のデータが安定していなければならない期間。
S25FL256Sの例では、下記ご参照ください。
https://www.cypress.com/file/448601/downloadhttps://www.cypress.com/file/448601/download
条件を次の通りに仮定します。：
ロードキャパシタンス（CL) = 30pF
動作電圧幅(VCC) = 2.7 ～3.6V
tVパラメータ = 8ns
動作周波数(FSCK) = 100 MH (tPSCK = 10 ns)
データが有効な期間は、次式の通り計算することができます。
データ有効期間 = tPSCK – tV(max) + tHO = 10 – 8 + 2 = 4 ns.
MCUのセットアップタイムとホールドタイムの要件により次のように検討できます。
例１：
MCUの入力セットアップ時間 ＝ 2ns
MCUの入力ホールド時間 = 2 ns
要求される最小データ有効期間 = セットアップ時間 + ホールド時間 = 4ns
したがって、MCUは同じSPIクロックの立ち下がりエッジに沿ってデータをサンプリングできます。
図2の赤い線を参照してください。
図２．
例２：
MCUの入力セットアップ時間 ＝ 5ns
MCUの入力ホールド時間 = 2ns
要求される最小データ有効期間 = セットアップ時間 + ホールド時間 = 7ns
データが有効な期間は4nsのみのため、MCUは正しくその出力データをサンプリングすることができなくなります。このような例では、MCUのセットアップ時間と、ホールド時間を満たすような広いデータ有効期間を作るために、SPIクロック周波数を下げる必要があります。
MCUのセットアップタイムとホールドタイムの要件が満たされていない場合は、次の手順を実行してデータ有効期間を広くします。
・ｔV値を下げるため、CL（負荷容量）を小さくする。
・SPIクロック周波数を下げる
--------------------
Best Regards,
Masaya
