九月 01, 2019
11:25 PM
我们现在在测试以下型号的Flash
S29GL01GS11TFI010
S29GL512S11TFIV10
S29GL512S10TFI010
S29GL512S11TFIV10
S29GL512S11TFIV10
S29GL01GS11TFIV10
S25FL128SAGMFI001
测试使用过程中,我们对擦写寿命参数有些疑惑,希望帮忙解答,并提供设计指导。谢谢。
1、关于擦写次数的指标:规格书中"Typical 100K P/E endurance cycle"这个典型值,是指多大概率下的典型值?一般最小值是多少?
2、擦写寿命还与哪些参数有关,比如电源纹波、温度、湿度、上掉电等,希望能够给出相应的曲线或者提供相应的参数设计指导原则等。比如:有些EEPROM在规格书中对比了25℃和85℃的耐久性,写周期分别是400万和120万,由于温度参数影响大,是否对于其他类型的储存器也适用?flash芯片耐久性 温度升高到85℃时,100K擦写是否变到了30K?
3、为了使存储器使用寿命尽量长,有什么设计建议,包括软硬件。
谢谢。
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- flash
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九月 03, 2019
02:42 AM
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九月 03, 2019
02:42 AM