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Translation - English: Differences between the CY62126/36/46 and the CY62127/37/47

【質問】

CY62126 / 36 / 46とCY62127 / 37 / 47の相違点を教えてください。

【回答】

CY62126 / 36 / 46とCY62127 / 37 / 47の相違点は、CY62127 / 37 / 47 は/CEをHigh、もしくは / BHEと/ BLEをHighにすることで、

選択を解除できることです。CY62126 / 36 /46は、/CEを使用することによってのみ選択解除できます。

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Translation - English: tLZOE and tHZOE demystified

【質問】

データシートのタイミング仕様ではtLZOE(min) とtHZOE(max)がそれぞれ5nsと20nsと記載されています。

しかし、Note.15は任意の温度と電圧でのtHZOEがtLZOEよりも小さいことに言及しています。

この解釈を教えてください。

【回答】

一見すると、データシートに間違いがあるように見受けられますが、これらのパラメータは反対の条件でテストされることを

念頭に置いてください。

つまり、tLZOEは高Vcc、低温、高速のコーナー条件でテストされますが、tHZOEは低Vcc、高温、低速のコーナー条件でテストされます。

そのため、前者はMinスペックで、後者はMaxスペックです。

従って、任意の温度と電圧でバスの競合を防ぐためにtHZOEがtLZOEよりも小さくなるように設計され、保証されています。

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Translation - English: Similarities and Differences Between the CY7C199C and CY7C199CN Parts – KBA91346

【質問】

非同期SRAMのCY7C199CとCY7C199CNの主な類似点と相違点を教えてください。

【回答】

非同期SRAMのCY7C199CとCY7C199Nはどちらも0.25umテクノロジーを採用している非同期高速SRAMです。

製品としてCY7C199CとCY7C199CNのパッケージ形状、信頼性や機能に相違はありません。

但し、CY7C199CNには、ダイの周囲に水分の浸透を防ぐための不浸透性の窒化物シールマスク(NSM)があり、信頼性が向上します。

他の層には追加されていません。

また、CY7C199Cは既に製造しておりませんので、注意してください。

どちらの製品も28ピンのDIP、及び SOJパッケージで提供されます。

CY7C199Cは、28ピンのTSOPパッケージでも提供されていましたが、このパッケージはCY7C199CNではサポートされていません。

CY7C199Cは12ns、15ns、及び 20 nsのスピードグレードを提供していましたが、CY7C199CNは15nsのスピードグレードのみ提供しています。

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Translation - English:

質問:

x32構成のSRAMを使用していたが、x36構成のSRAMへ変更する際、追加分の4つの未使用端子への入力がフローティングになります。

問題有無を教えてください。

回答:

CMOS入力の端子に対して、フローティング状態にしておくことは推奨しません。

入力がフローティング状態になっている時、いかなるSRAMも有効な信号を保持するため、

データ入力に対し、内部プルアップ、または プルダウンを持っていません。

お客様がデータラインをパリティに使用したくない場合、プルアップ、または プルダウンする必要があります。

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Translation - English: Information on Industry standard JTAG interfaces on SRAM's.

質問:

業界標準のJTAGインターフェースに関してCypressの方針とJTAGインターフェースの搭載有無、及び 開発計画を教えてください。

回答:

Cypress製品の既存のJTAG機能は、他のベンダーの互換性のある全てもメモリのJTAG機能と同一です。

これは2つも異なるステップで対処しましょう。

- 標準SRAM : 標準SRAMではJTAG機能は全てのベンダーで同一ですが、BDSLファイルは設計(シリコンとパッケージ) によって

異なる場合があります。

BDSLファイルの違いはピン番号に関することが多く、他項目ではありません。

- QDR SRAM : QDR SRAMではJTAGボードの機能とピン配置を標準化するために、過去2ヶ月間苦労してきました。

最近、これは達成されたため、各ベンダーのBSDLファイルはQDR-IIでも同一です。BSDLファイルの唯一の違いはデバイスIDです。

これはデバイス毎に異なると想定されます。但し、ユーザーはデバイスIDを無視しても、問題なく、デバイスをテストすることができます。

我々は6社のクローズドコンソーシアムによって、QDR-IIでこれを達成することが出来ました。

標準の同期SRAMは複数のベンダーによって製造されており、様々なベンダーのBSDLファイルを標準化することは非常に困難です。

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Translation - English: Comparison of Iccdr Between Cy7C109 and CY7C109BN

【質問】

CY7C109と比較して、CY7C109BNのIccdr(データ保持電流) が高い理由を教えてください。

【回答】

CY7C109は0.35umのプロセステクノロジーを使用して製造されました。

それに引き換え、CY7C109BNは0.25umのプロセステクノロジーを使用して製造されています。

プロセステクノロジーの違いと0.25umのプロセステクノロジーの内部電圧が低いことにより、

CY7C109BNのデータ保持電流はCY7C109の50uAから150uAに増加しました。

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Translation - English: Does CY62256 have pull up resistor on the I/O ?

【質問】

CY62256のI/Oピンにプルアップ抵抗は挿入されていますか?

【回答】

はい、CY62256はI/OピンにPMOSプルアップがあります。

基本的に、この特定のピンは最大3.8Vまで上がるよう設計されています。

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Translation - English: clarify tSCE

【質問】

Micropower SRAMはデバイスがスタンバイ状態からウェィクアップする時、書き込み時間はtSCEによってのみ決定しますか?

【回答】

はい。データをメモリセルに書き込むために必要な最小の/WEパルスは、書き込みパルス幅(tPWE) と呼ばれます。

このパラメータはメモリを書き込むために、書き込み有効化回路がデータ入力ドライバを内部パスに接続するスピードによって決まります。

さらに、このパラメータは書き込み動作が完了するスピードにも影響を与えます。

従って、動作には下記4つの可能性があります。

1. /WEで書き込み開始、/WEで終了
2. /CEで書き込み開始、/CEで終了(tSCE)
3. /WEで書き込み開始、/CEで終了
4. /CEで書き込み開始、/WEで終了(tSCE)

従って、デバイスがスタンバイ状態からウェイクアップ後、/CEによって書き込みが開始された場合(上記2と4のケース)、

tSCEは書き込み時間を制御するパラメータになります。

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Translation - English: High Z parameters for some SRAM's clarifications

【質問】

特定のSRAMのスピードグレード-15, -20, -25のtHZWEはtLZHEより短く指定されていますが、これは正しいですか?

【回答】

はい、これは正しいです。

データシートの注釈7によって、特定の温度、及び 電圧範囲においてtHZHEがtLZHEよりも短くなることが明記されています。

いくつかの高速非同期SRAMのデータシートでは、tLZWEの値はtHZWEの値より短くなっていますが、

tLZWEは常に最小スペックとして指定され、tHZWEは最大スペックとして指定されています。

通常の動作の過程で、tHZWEはtLZWEよりも小さくすべきです。

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Translation - English: SRAM and DRAM difference

質問:

SRAMとDRAMの違いを教えてください。また、CypressはDRAMを製造していますか?

回答:

DRAMはDynamic
Random Access Memoryの略です。これはメモリが電荷の形式で格納されるタイプの半導体メモリです。

DRAMの各メモリセルは、トランジスタとコンデンサで形成されており、データはコンデンサで保存されます。

コンデンサはリークによって電荷が失われるため、DRAMは揮発性デバイスです。

そのため、メモリにデータを保持するためには、デバイスを定期的にリフレッシュする必要がありますが、

SRAMは電力が供給されている限り、値を保持します。

さらに、SRAMはリフレッシュサイクルがないため、通常はDRAMよりも高速動作します。

1つのトランジスタと1つのコンデンサで構成されるDRAMセルとは異なり、各SRAMセルは6つのトランジスタで構成されているため

SRAMの方がDRAMと比較してメモリセル当たりのコストがはるかに高価になります。

同様の理由で、DRAMは一定の面積の場合、SRAMよりも容量が大きいです。

例えば、SRAMは高速キャッシュとして使用され、DRAMは高容量のためPCのメインメモリに使用されます。

いいえ、CypressはDRAMを製造しておりません。