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S29GL-Tがx8(バイト)モードで構成されている場合の書き込みバッファの利用 - KBA224466 - Community Translated (JA)

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S29GL-Tがx8(バイト)モードで構成されている場合の書き込みバッファの利用 - KBA224466 - Community Translated (JA)

Community Translated by  HiOm_1802421 Expert         Version: **

Translation - English: Utilization of Write Buffer when S29GL-T is Configured in x8 (byte) Mode - KBA224466

質問:

S29GL-PまたはS29GL-Sから移行する場合、x8(バイト)モードで構成されたS29GL-Tの書き込みバッファの全容量は、どうやって利用しますか?

回答:

サイプレスのパラレルNORフラッシュ メモリ製品では、ライト バッファの容量は、S29GL064Nの32バイトからS29GL512Tの512バイトまでの範囲です。ただし、S29GL-Tデバイスの場合、ライト バッファのサイズは、パラレル データ ラインがx8(バイト)モードまたはx16(ワード)モードのどちらに設定されているかに依存しませんが、512バイトのライト バッファ全体は、x16モードでは1つのライト バッファ プログラミング コマンドだけで書き込むことができます。x8モードで512バイトをライト バッファに書き込むには、2つのライト バッファ プログラミング コマンドが必要です。

これは、「バッファへのライト」コマンドのワードカウント(WC)引数が1バイトであるためです。そのため、WCはx16モードで256ワード(つまり、512バイト ライト バッファの全容量)、またはx8モードで256バイト(つまり、512バイト ライト バッファの½のみ)までカウントできます。

表1.  x16 コマンド定義

Command Sequence

Cycles

Bus Cycles

First

Second

Third

Fourth

Fifth

Sixth

Seventh

Addr

Data

Addr

Data

Addr

Data

Addr

Data

Addr

Data

Addr

Data

Addr

Data

Read

1

RA

RD

Reset/ASO Exit

1

XXX

F0

Status Register Read

2

555

70

XXX

RD

Status Register Clear

1

555

71

Word Program

4

555

AA

2AA

55

555

A0

PA

PD

Write to Buffer

6

555

AA

2AA

55

SA

25

WC

WBL

PD

WBL

PD

Program Buffer to Flash

1

SA

29

したがって、x8モードでは、512バイトのライト バッファ全体をプログラムするために、それぞれ256バイトの2つのライト バッファ プログラミング操作を使用する必要があります。最初のバッファ プログラム操作では、ライト バッファのオフセットを0にして開始アドレスを選択します。2番目のバッファ プログラム操作では、ライト バッファのオフセットを256にして開始アドレスを選択します。

  • ライト バッファが小さい古いデバイス(S29GL-Nは32バイトのライト バッファ、S29GL-Pは64バイトのライト バッファ)から移行する場合で、移行がx8またはx16モードnのいずれかを維持する場合、既存のプログラム コマンド構文は変更なしで動作します。
  • しかし、512バイトのライト バッファを備えた前世代のx16専用S29GL-S(≧128Mビット)から移行する場合、S29GL-Tでx16構成を維持することは、既存のプログラム コマンド構文に変更がないことも意味します。
  • 256バイトのライト バッファを備えたx8/x16 S29GL064SからS29GL-Tに移行する場合で、移行がx8またはx16モードのいずれかを維持している場合、既存のプログラミングコマンド構文を変更する必要はありません。

表2に示すように、共通フラッシュ インタフェース(CFI)をリードする場合、マルチバイト(x8 バイト モード)ライトの最大バイト数は256バイト(0~255バイト)です。 マルチワード(x16 ワードモード)ライトの最大ワード数は256ワード(0~255ワード)です。

詳細は、S29GL512Tデータシートを参照してください。

表2. CFIデバイス ジオメトリ定義

Word Address

Byte Address

Data

Description

(SA) + 0027h

(SA) + 004Eh

001Bh (1 Gb)

001Ah (512 Mb)

Device Size = 2N byte;

(SA) + 0028h

(SA) + 0050h

0002h

Flash Device Interface Description 0 = x8-only, 1 = x16-only, 2 = x8/x16 capable

(SA) + 0029h

(SA) + 0052h

0000h

(SA) + 002Ah

(SA) + 0054h

0009h

Max. number of byte in multi-byte write = 2N

(00 = not supported)

(SA) + 002Bh

(SA) + 0056h

0000h

(SA) + 002Ch

(SA) + 0058h

0001h

Number of Erase Block Regions within device

1 = Uniform Device, 2 = Boot Device

(SA) + 002Dh

(SA) + 005Ah

00XXh

Erase Block Region 1 Information (refer to JEDEC JESD68-01 or JEP137 specifications)

00FFh, 0003h, 0000h, 0002h =1 Gb

00FFh, 0001h, 0000h, 0002h = 512 Mb

(SA) + 002Eh

(SA) + 005Ch

000Xh

(SA) + 002Fh

(SA) + 005Eh

0000h

(SA) + 0030h

(SA) + 0060h

000Xh

(SA) + 0031h

(SA) + 0062h

0000h

Erase Block Region 2 Information (refer to CFI publication 100)

(SA) + 0032h

(SA) + 0064h

0000h

(SA) + 0033h

(SA) + 0066h

0000h

(SA) + 0034h

(SA) + 0068h

0000h

(SA) + 0035h

(SA) + 006Ah

0000h

Erase Block Region 3 Information (refer to CFI publication 100)

(SA) + 0036h

(SA) + 006Ch

0000h

(SA) + 0037h

(SA) + 006Eh

0000h

(SA) + 0038h

(SA) + 0070h

0000h

(SA) + 0039h

(SA) + 0072h

0000h

Erase Block Region 4 Information (refer to CFI publication 100)

(SA) + 003Ah

(SA) + 0074h

0000h

(SA) + 003Bh

(SA) + 0076h

0000h

(SA) + 003Ch

(SA) + 0078h

0000h

(SA) + 003Dh

(SA) + 007Ah

FFFFh

Reserved

(SA) + 003Eh

(SA) + 007Ch

FFFFh

(SA) + 003Fh

(SA) + 007Eh

FFFFh

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1 of 1
Last update:
‎Jul 13, 2020 12:03 AM
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