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CCG3PA設計におけるVBUS用プロバイダFETの選択 - KBA231884 - Community Translated (JA)

JennaJo
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CCG3PA設計におけるVBUS用プロバイダFETの選択 - KBA231884 - Community Translated (JA)

Original KBA:Selecting Provider FET for VBUS in CCG3PA Designs - KBA231884

Translated by: Kenshow

 

タイトル: CCG3PA設計におけるVBUS用プロバイダFETの選択 - KBA231884

 

バージョン:**

PチャネルMOSFETは、CCG3PA設計(CYPD3171、CYPD3174、CYPD3175、CYPD3195、およびCYPD3196部品)のVBUSプロバイダ制御FETとして使用されます。適切なP-MOSFETを選択するときは、次の点を考慮してください。

1.ドレイン-ソース間降伏電圧(V DS

DSブレークダウン電圧が、アプリケーション設計の最大VBUS_IN電圧より少なくとも10%高いことを確認してください。最大20VのVBUS電圧をサポートする電力供給(PD)設計の場合、VDSブレークダウン電圧が25V以上のFETを推奨します。

2.オン状態のドレイン電流(I D

定格オン状態ドレイン電流(I D)がアプリケーションの最大VBUS電流よりも高いことを確認してください。最大 VBUS 電流 5A をサポートする PD デザインの場合、IDは 5A より大きくする必要があります。

3.ドレイン-ソースのオン状態抵抗(R DSON

MOSFETのドレイン-ソース間抵抗は可能な限り低くする必要があります。R DSONは 5 V VGSで10mΩ以下が望ましいです。PPSをサポートしたデザインの場合、FET間の電圧降下が少なく、3.2 V VGS程度でR DSONを低くすることが重要です。

4.ゲートプラトー電圧(V GP

ほとんどのパワーMOSFETのデータシートでは、VGSTH は250μAのIで指定されています。ゲートプラトー電圧(V GP)を使用して、MOSFETが完全に増強される(つまり、オンになる)ゲート-ソース間電圧を決定できます。最大定格ID のVGP は、FETのデータシートに明示的に記載されているか、またはVGs 対総ゲート電荷のプロットを使用して見つけることができます。FETのVGPは2.8V未満でなければなりません。これにより、3.2VのVGS の下でFETを完全にオンにすることができます

FET回路を設計する際のその他の考慮事項については、次のVBUSプロバイダFET回路の例を参照してください。

 

1.VBUSプロバイダのFET回路

JennaJo_0-1614307811968.png

 

  • CCG3PAは、FETがオンになると、VBUS_P_CTRLピンを0Vに駆動します。VGSの絶対最大定格が最大VBUS_IN電圧よりも大きいことを確認する必要があります。この条件が満たされない場合は、図に示すように、ツェナー電圧が絶対最大VGS未満のツェナーダイオード(D11)を使用して、ゲートをFET定格内のソース電圧にクリップすることができます。FETがVBUS_INより大きいVGSを処理できる場合、ダイオード(D11)は必要ありません。
  • ツェナーダイオードを流れる電流を安全なレベルに制限するために、抵抗(R43)が追加されています。
  • R5とR43の比率はできるだけ高くする必要があります。これにより、VBUS電圧の比較的低い値でより高いVGSが保証されます。

いくつかの推奨FET:

  1. インフィニオンテクノロジーズのIRF9358PbF
  2. ダイオーズ社のDMP3036SSD
  3. ダイオーズ社のDMP3010LPSQ(自動車認定)
  4. VishaySiliconix社のSi7997DP
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‎Feb 25, 2021 06:50 PM
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