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サイCY8C201x0デバイスでのフラッシュ書き込みの失敗 - KBA85520プレスタイトル- Community Translated (JA)

ChaitanyaV_61
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サイCY8C201x0デバイスでのフラッシュ書き込みの失敗 - KBA85520プレスタイトル- Community Translated (JA)

Community Translated by NoTa_4591161          Version: *A

Translation - English:  Flash Write Fail in CY8C201x0 Devices - KBA85520

質問:

CY8C201x0デバイスで「write configuration to flash」コマンドが失敗するのはなぜでしょうか?

回答:

一部のデバイスでは、3.0 V未満の動作電圧でフラッシュ書き込みが失敗します。主な理由は、より低い動作電圧でCPUクロック周波数が低下することです。その結果、「フラッシュ書き込み」ルーチンに時間がかかり、ルーチンが完了する前にウォッチドッグリセットが発生します。この問題は通常、ILOが比較的高速なデバイスで発生します(ILOがデータシートの仕様内としても)。

回避策:

スリープタイマーの有効期限が3回切れるとウォッチドッグリセットがトリガーされるため、設定をフラッシュに保存する前に、スリープタイマーの周波数(I 2 Cで設定可能)を8 Hz以下(V dd <3.0Vの場合)に下げます。

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Last update:
‎Aug 25, 2020 06:30 AM
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