Hyperflash is not responding to any commands except status register read. I tried word programming , buffer programming, sector erase, Chip erase, DeviceID reading but none of this worked. Everytime status register value remains 0x80.
Can someone tell me what could be the issue.?
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I am trying to communicate with hyperflash through microblaze connected with hyperbus IP. But neither read nor write operation is taking place. I have simulated it and observed Command address field out from HYperbus IP. There is difference between the Hyperflash datasheet mentioned waveform and the one observed by me during simulation. I have attached images of code, waveform from simulation and from the datasheet
Can someone please let me know what mistake is causing problem in communicating with the hyperflash?
Hello,
When erasing S26KL512S memory sector. The data becomes FF but part of next sector is 0.
When I erase the sector I wait for the flash to be ready (Status Register (Device Ready Bit))
and I check the erase status is Ok (Status Register (Sector Erase Status Bit)).
Do you have an idea ?
Best Regards,
Show Less你好,
我们将数据backdoor到s26kl512s这个hyperflash中,然后控制ospi controller来进行读flash。在读操作之前,通过ospi
controller对flash进行复位——将flash的RESETNeg拉低,经过一段时间后释放复位,将RESETNeg拉高。然后配置flash进行读操作,但读到的不是期望值,是’hff。
在debug过程中,发现当RESETNeg为低时,flash model中的reseted信号会被拉低;当RESETNeg为高的时候,reseted还是低。但在model中,当reseted为高时,才会对ospi发过来的指令和地址进行采样,所以ospi发的指令和地址根本进不到flash model中。
我们还发现在驱动reseted信号的逻辑中,有一个条件信号(RESETNeg_in)没有加入到always @后面的敏感列表里,如下图所示:
在仿真中我们发现,当RESETNeg由0跳变到1时,程序并没有执行下图红框中的分支。
随后,我们将RESETNeg_in信号加入到always @后面的敏感列表中,然后进行相同的仿真,这次仿真成功,从波形上看,在reset释放之后,reseted被拉高。
想问一下:
1.
这是否是这个model的一个bug?
2.
如果不是的话,那如何配置能避免上述读取失败的问题?
期待回复
Show LessHyperFLASHおよびHyperRAMのレイアウトガイド(AN211622)の内容で教えてください。
このレイアウトガイド内(4.1 章)で、「50 オームのシングルエンド インピーダンスと100 オームの差動インピーダンス (定格値) を維持しながら、CK とCK#の
配線を同一平面上で行う必要があります。」と記載があります。基板設計先でシングルエンドと差動を両立する設計をした経験がないため、どちらかで設計をしたいと思っています。このような場合、シングルエンド、差動どちらを選ぶべきでしょうか?
Show Lessご教示お願い致します。
MPN:S71KS512SC0BHV000
確認事項:
・電源投入直後のデータの消去-書込み速度と電源投入後しばらくたった後での
データの消去-書込み速度にバラつき(電源投入直後の速度の方が倍くらい速い)が
みられるのですが、この現象について何か参考となる情報はありますでしょうか?
状況:
速度計測例(1MBデータの消去-書込み):
電源投入直後→2~3秒前後経過後でのバラつき
電源投入後しばらくたった後→5秒くらい経過後でのバラつき
よろしくお願い致します。
Show LessDo you know HyperBus Memory solution provides an optimum high-performance memory subsystem with 70% fewer pins and a 77% smaller footprint compared to existing SDRAM and Quad SPI solutions?
Do you know HyperBus Interface is fully compliant with the JEDEC xSPI standard?
Please refer the following content to know more about our HyperBus Memory solutions and let’s discuss about it in this forum post.
need to download spansion_tc_pkg for s26kl512s