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Hi,
I want to translate the following KBA into Japanese, please confirm to my work.
Utilization of Write Buffer when S29GL-T is Configured in x8 (byte) Mode - KBA224466
Omoi
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Hi, Omoi-san
Confirm to work this KBA.
Thanks
Jenna
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Hi,
I tried to translate this KBA224466 into Japanese.
Utilization of Write Buffer when S29GL-T is Configured in x8 (byte) Mode - KBA224466
==========
タイトル:S29GL-Tがx8(バイト)モードで構成されている場合の書き込みバッファの利用
バージョン:**
質問:
S29GL-PまたはS29GL-Sから移行する場合、x8(バイト)モードで構成されたS29GL-Tの書き込みバッファの全容量は、どうやって利用しますか?
回答:
サイプレスのパラレルNORフラッシュ メモリ製品では、ライト バッファの容量は、S29GL064Nの32バイトからS29GL512Tの512バイトまでの範囲です。ただし、S29GL-Tデバイスの場合、ライト バッファのサイズは、パラレル データ ラインがx8(バイト)モードまたはx16(ワード)モードのどちらに設定されているかに依存しませんが、512バイトのライト バッファ全体は、x16モードでは1つのライト バッファ プログラミング コマンドだけで書き込むことができます。x8モードで512バイトをライト バッファに書き込むには、2つのライト バッファ プログラミング コマンドが必要です。
これは、「バッファへのライト」コマンドのワードカウント(WC)引数が1バイトであるためです。そのため、WCはx16モードで256ワード(つまり、512バイト ライト バッファの全容量)、またはx8モードで256バイト(つまり、512バイト ライト バッファの½のみ)までカウントできます。
表1. x16 コマンド定義
Command Sequence | Cycles | Bus Cycles | |||||||||||||
First | Second | Third | Fourth | Fifth | Sixth | Seventh | |||||||||
Addr | Data | Addr | Data | Addr | Data | Addr | Data | Addr | Data | Addr | Data | Addr | Data | ||
Read | 1 | RA | RD | ||||||||||||
Reset/ASO Exit | 1 | XXX | F0 | ||||||||||||
Status Register Read | 2 | 555 | 70 | XXX | RD | ||||||||||
Status Register Clear | 1 | 555 | 71 | ||||||||||||
Word Program | 4 | 555 | AA | 2AA | 55 | 555 | A0 | PA | PD | ||||||
Write to Buffer | 6 | 555 | AA | 2AA | 55 | SA | 25 | WC | WBL | PD | WBL | PD | |||
Program Buffer to Flash | 1 | SA | 29 |
したがって、x8モードでは、512バイトのライト バッファ全体をプログラムするために、それぞれ256バイトの2つのライト バッファ プログラミング操作を使用する必要があります。最初のバッファ プログラム操作では、ライト バッファのオフセットを0にして開始アドレスを選択します。2番目のバッファ プログラム操作では、ライト バッファのオフセットを256にして開始アドレスを選択します。
- ライト バッファが小さい古いデバイス(S29GL-Nは32バイトのライト バッファ、S29GL-Pは64バイトのライト バッファ)から移行する場合で、移行がx8またはx16モードnのいずれかを維持する場合、既存のプログラム コマンド構文は変更なしで動作します。
- しかし、512バイトのライト バッファを備えた前世代のx16専用S29GL-S(≧128Mビット)から移行する場合、S29GL-Tでx16構成を維持することは、既存のプログラム コマンド構文に変更がないことも意味します。
- 256バイトのライト バッファを備えたx8/x16 S29GL064SからS29GL-Tに移行する場合で、移行がx8またはx16モードのいずれかを維持している場合、既存のプログラミングコマンド構文を変更する必要はありません。
表2に示すように、共通フラッシュ インタフェース(CFI)をリードする場合、マルチバイト(x8 バイト モード)ライトの最大バイト数は256バイト(0~255バイト)です。 マルチワード(x16 ワードモード)ライトの最大ワード数は256ワード(0~255ワード)です。
詳細は、S29GL512Tデータシートを参照してください。
表2. CFIデバイス ジオメトリ定義
Word Address | Byte Address | Data | Description |
(SA) + 0027h | (SA) + 004Eh | 001Bh (1 Gb) 001Ah (512 Mb) | Device Size = 2N byte; |
(SA) + 0028h | (SA) + 0050h | 0002h | Flash Device Interface Description 0 = x8-only, 1 = x16-only, 2 = x8/x16 capable |
(SA) + 0029h | (SA) + 0052h | 0000h | |
(SA) + 002Ah | (SA) + 0054h | 0009h | Max. number of byte in multi-byte write = 2N (00 = not supported) |
(SA) + 002Bh | (SA) + 0056h | 0000h | |
(SA) + 002Ch | (SA) + 0058h | 0001h | Number of Erase Block Regions within device 1 = Uniform Device, 2 = Boot Device |
(SA) + 002Dh | (SA) + 005Ah | 00XXh | Erase Block Region 1 Information (refer to JEDEC JESD68-01 or JEP137 specifications) 00FFh, 0003h, 0000h, 0002h =1 Gb 00FFh, 0001h, 0000h, 0002h = 512 Mb |
(SA) + 002Eh | (SA) + 005Ch | 000Xh | |
(SA) + 002Fh | (SA) + 005Eh | 0000h | |
(SA) + 0030h | (SA) + 0060h | 000Xh | |
(SA) + 0031h | (SA) + 0062h | 0000h | Erase Block Region 2 Information (refer to CFI publication 100) |
(SA) + 0032h | (SA) + 0064h | 0000h | |
(SA) + 0033h | (SA) + 0066h | 0000h | |
(SA) + 0034h | (SA) + 0068h | 0000h | |
(SA) + 0035h | (SA) + 006Ah | 0000h | Erase Block Region 3 Information (refer to CFI publication 100) |
(SA) + 0036h | (SA) + 006Ch | 0000h | |
(SA) + 0037h | (SA) + 006Eh | 0000h | |
(SA) + 0038h | (SA) + 0070h | 0000h | |
(SA) + 0039h | (SA) + 0072h | 0000h | Erase Block Region 4 Information (refer to CFI publication 100) |
(SA) + 003Ah | (SA) + 0074h | 0000h | |
(SA) + 003Bh | (SA) + 0076h | 0000h | |
(SA) + 003Ch | (SA) + 0078h | 0000h | |
(SA) + 003Dh | (SA) + 007Ah | FFFFh | Reserved |
(SA) + 003Eh | (SA) + 007Ch | FFFFh | |
(SA) + 003Fh | (SA) + 007Eh | FFFFh |
==========
BR,
Omoi