Hi Aiko-san,
I have translated KBA222872.
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【タイトル】
Cypress 65nm MirroeBit TechnologyのFlash Memoryに搭載されている内蔵ECC機能を無効にする使用方法 - KBA222872
【質問】
Cypress 65nm MirrorBit TechnologyのFlash Memoryに搭載されている内蔵ECC機能を無効にする方法はありますか?
【内容】
Cypress 65nm MirroBit TehnologyのNOR Flash MemoryデザインはFlash Memoryにデータを読み出す前に、
稀なbitエラーを修正する内蔵ECC機能を導入しています。
ECC機能はECCページ(Write Page) 毎に1bitエラーを訂正できるハミングコードアルゴリズムを用います。
ECCページサイズはParallel NOR Flash Memoryは32ByteのWrite Pageを持っており、SPI NOR Flash Memoryは16ByteのWrite Pageです。
各ECCページ(Write Page) はWrite Buffer Programコマンド実行時にECCコードも生成され、Memory内のECC専用領域にECCパリティビットが書き込まれ、
関連付けられています。
ECCパリティビットが特定のECCページ(Write Page) に対して有効である限り、ECC機能はそのECCページ(Write Page) から読出しする際、
常に有効であり続けます。
ECCパリティビットが無効になる(下記参照) と、ECCページ(Write Page) に関連付けられているMemory内のECC専用領域に不揮発ビットが書き込まれ、
このECCページ(Write Page) を含むセクタが消去されるまで、そのECCページ(Write Page) からの読出しに対するECC機能は無効になります。
･内蔵ECCはシステムがセクタ消去する前にWrite Buffer Programを使用し、ECCページ(Write Page) に一度だけ書き込むことにより、
常にそのECCページ(Write Page) に対して有効になります。これが最も良い使用方法です。
･同一ECCページ(Write Page) に2回以上書き込むと、そのECCページ(Write Page) のECC機能が無効になります。
ECC専用領域に書き込まれるECCパリティビットは書き込み動作完了後、ECCページ(Write Page) の “1” と “0” のパターンに基づいて計算されます。
セクタが消去された後、最初に特定のECCページ(Write Page) への書き込みされた場合 :
･正しいECCパリティビットはFlashの書き込みである1から0への遷移によって、常に計算されます。最初の書き込み後からECCパリティビットは有効であり、
そのECCページ(Write Page) に対するECCは有効になります。
この特定のECCページ(Write Page) に2回以上の書き込みが実施された場合 :
･新しいECCパリティビットはFlashの書き込みである1から0への遷移によって、常に計算されるため、ECCパリティビットは有効であり、ECC機能も有効なままです。
･新しいECCパリティビットはFlashの書き込みで禁止されている0から1への遷移が含まれており、
有効ECCパリティビットはFlashの書き込みである1から0への遷移のみで計算することが出来ないため、そのECCページ(Write Page) に対して無効になります。
従って、ECC機能はECCページ(Write Page) への2回目の書き込み直後では、ECCページ(Write Page) が無効にならない場合がありますが、
2回目の書き込み後は常にECC機能が無効であると想定することが重要です。
アプリケーション用に内蔵ECC機能を最大限活用したい場合、下記のアプリケーションノートを参照してください。
AN200621 - Cypress GL-S and GL-T Mirrorbit® Flash Nonvolatile Memory Families – Automatic ECC
AN200731 - Automatic ECC for Cypress 65-nm MirrorBit® Eclipse™ SPI Flash Nonvolatile Memory Families
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Thanks and regards,
