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Community Translations

Kenshow
Esteemed Contributor

Hi,               

 

I would like to translate KBA232057 into Japanese.

Please confirm to my work.

 

Thanks,
Kenshow

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JennaJo
Moderator
Moderator

Hi, Kenshow-san

Confirm to work on KBA232057, would you update the translation version in this thread?

Thanks,

Jenna Jo
0 Likes
Kenshow
Esteemed Contributor

Hi Jenna-san,

                                

Japanese translation was over.
Please check below.

 

Original KBA:

Updating Volatile Register by Modifying Nonvolatile Register in Semper Flash - KBA232057

 

Thanks.

Kenshow

==============================

 

タイトル: SemperFlashの不揮発性レジスタを変更して揮発性レジスタを更新する - KBA232057

 

作成者:YongQ_16          バージョン:**

質問:

Semper ™ Flashで不揮発性レジスタが変更された場合、揮発性レジスタはいつ更新されますか?

回答:

Semper Flashには、フラッシュの動作を設定するための揮発性レジスタと不揮発性レジスタが含まれています。揮発性レジスタは、実行時にフラッシュを設定する簡単な方法を提供します。不揮発性レジスタは、電源がオフになっても設定を保持します。フラッシュパワーオンの初期化中に、不揮発性レジスタ設定が揮発性レジスタにロードされます。次に、揮発性レジスタがフラッシュの動作を決定します。

実行時に、揮発性レジスタの変更はすぐに有効になります。関連する不揮発性レジスタは変更されません。不揮発性レジスタを変更すると(つまり、不揮発性レジスタをプログラミングするWrite Any Register(WRAR)コマンドを使用して)、対応する揮発性レジスタも更新されます。新しい設定はすぐに有効になります。

不揮発性レジスタのプログラミングは、完了するまでに時間(tW)かかります。対応する揮発性レジスタは、WRARコマンドサイクルが開始された後、つまり、不揮発性レジスタのプログラミングが完了するのを待つのではなく、WRARコマンドサイクルの最後のCS#立ち上がりエッジの直後に更新されます。アプリケーションソフトウェアは、WRARコマンドの直後に新しい設定を使用してステータスレジスタをポーリングし、不揮発性レジスタのプログラミングの完全性を確認する必要があります。

複数のダイデバイスの場合、4バイトアドレスを必要としないいくつかのコマンドを除いて、上位のダイにアクセスするには4バイトアドレスが必要です。これらのコマンドは、アプリケーションによって発行されると、すべてのダイに自動的に送信されます。4バイトアドレスから3バイトアドレスにビットをアドレス指定する不揮発性レジスタを変更する場合、上位ダイの揮発性レジスタはWRARコマンドの直後に更新され、すぐに有効になります。したがって、上位のダイは3バイトのアドレッシングモードに変更され、アドレスを必要とするコマンドにはアクセスできません。より高いダイのポーリングステータスレジスタは機能しません。アプリケーションソフトウェアは、他のコマンドをフラッシュに送信する前に、最大プログラミング時間(tWmax)を待機する必要があります。

 

==============================

16-Feb-2021

Kenshow

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Kenshow
Esteemed Contributor

Hi Jenna-san,                                

Japanese translation was over.
Please check below.

Original KBA:
Updating Volatile Register by Modifying Nonvolatile Register in Semper Flash - KBA232057

Thanks,
Kenshow

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タイトル: SemperFlashの不揮発性レジスタを変更して揮発性レジスタを更新する - KBA232057

 

作成者:YongQ_16          バージョン:**

質問:

Semper ™ Flashで不揮発性レジスタが変更された場合、揮発性レジスタはいつ更新されますか?

回答:

Semper Flashには、フラッシュの動作を設定するための揮発性レジスタと不揮発性レジスタが含まれています。揮発性レジスタは、実行時にフラッシュを設定する簡単な方法を提供します。不揮発性レジスタは、電源がオフになっても設定を保持します。フラッシュパワーオンの初期化中に、不揮発性レジスタ設定が揮発性レジスタにロードされます。次に、揮発性レジスタがフラッシュの動作を決定します。

実行時に、揮発性レジスタの変更はすぐに有効になります。関連する不揮発性レジスタは変更されません。不揮発性レジスタを変更すると(つまり、不揮発性レジスタをプログラミングするWrite Any Register(WRAR)コマンドを使用して)、対応する揮発性レジスタも更新されます。新しい設定はすぐに有効になります。

不揮発性レジスタのプログラミングは、完了するまでに時間(tW)かかります。対応する揮発性レジスタは、WRARコマンドサイクルが開始された後、つまり、不揮発性レジスタのプログラミングが完了するのを待つのではなく、WRARコマンドサイクルの最後のCS#立ち上がりエッジの直後に更新されます。アプリケーションソフトウェアは、WRARコマンドの直後に新しい設定を使用してステータスレジスタをポーリングし、不揮発性レジスタのプログラミングの完全性を確認する必要があります。

複数のダイデバイスの場合、4バイトアドレスを必要としないいくつかのコマンドを除いて、上位のダイにアクセスするには4バイトアドレスが必要です。これらのコマンドは、アプリケーションによって発行されると、すべてのダイに自動的に送信されます。4バイトアドレスから3バイトアドレスにビットをアドレス指定する不揮発性レジスタを変更する場合、上位ダイの揮発性レジスタはWRARコマンドの直後に更新され、すぐに有効になります。したがって、上位のダイは3バイトのアドレッシングモードに変更され、アドレスを必要とするコマンドにはアクセスできません。より高いダイのポーリングステータスレジスタは機能しません。アプリケーションソフトウェアは、他のコマンドをフラッシュに送信する前に、最大プログラミング時間(tWmax)を待機する必要があります。

 

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16-Feb-2021

Kenshow

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Kenshow
Esteemed Contributor

Hi Jenna-san,                                

Japanese translation was over.
Please check below.

Original KBA:
Updating Volatile Register by Modifying Nonvolatile Register in Semper Flash - KBA232057

Thanks,
Kenshow

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タイトル: SemperFlashの不揮発性レジスタを変更して揮発性レジスタを更新する - KBA232057

 

作成者:YongQ_16          バージョン:**

質問:

Semper ™ Flashで不揮発性レジスタが変更された場合、揮発性レジスタはいつ更新されますか?

回答:

Semper Flashには、フラッシュの動作を設定するための揮発性レジスタと不揮発性レジスタが含まれています。揮発性レジスタは、実行時にフラッシュを設定する簡単な方法を提供します。不揮発性レジスタは、電源がオフになっても設定を保持します。フラッシュパワーオンの初期化中に、不揮発性レジスタ設定が揮発性レジスタにロードされます。次に、揮発性レジスタがフラッシュの動作を決定します。

実行時に、揮発性レジスタの変更はすぐに有効になります。関連する不揮発性レジスタは変更されません。不揮発性レジスタを変更すると(つまり、不揮発性レジスタをプログラミングするWrite Any Register(WRAR)コマンドを使用して)、対応する揮発性レジスタも更新されます。新しい設定はすぐに有効になります。

不揮発性レジスタのプログラミングは、完了するまでに時間(tW)かかります。対応する揮発性レジスタは、WRARコマンドサイクルが開始された後、つまり、不揮発性レジスタのプログラミングが完了するのを待つのではなく、WRARコマンドサイクルの最後のCS#立ち上がりエッジの直後に更新されます。アプリケーションソフトウェアは、WRARコマンドの直後に新しい設定を使用してステータスレジスタをポーリングし、不揮発性レジスタのプログラミングの完全性を確認する必要があります。

複数のダイデバイスの場合、4バイトアドレスを必要としないいくつかのコマンドを除いて、上位のダイにアクセスするには4バイトアドレスが必要です。これらのコマンドは、アプリケーションによって発行されると、すべてのダイに自動的に送信されます。4バイトアドレスから3バイトアドレスにビットをアドレス指定する不揮発性レジスタを変更する場合、上位ダイの揮発性レジスタはWRARコマンドの直後に更新され、すぐに有効になります。したがって、上位のダイは3バイトのアドレッシングモードに変更され、アドレスを必要とするコマンドにはアクセスできません。より高いダイのポーリングステータスレジスタは機能しません。アプリケーションソフトウェアは、他のコマンドをフラッシュに送信する前に、最大プログラミング時間(tWmax)を待機する必要があります。

 

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16-Feb-2021
Kenshow

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Hi Jenna-san,    

Japanese translation was over.
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Original KBA:
Updating Volatile Register by Modifying Nonvolatile Register in Semper Flash - KBA232057

 

Thanks,
Kenshow

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Kenshow
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タイトル: SemperFlashの不揮発性レジスタを変更して揮発性レジスタを更新する - KBA232057

 

作成者:YongQ_16          バージョン:**

質問:

Semper ™ Flashで不揮発性レジスタが変更された場合、揮発性レジスタはいつ更新されますか?

回答:

Semper Flashには、フラッシュの動作を設定するための揮発性レジスタと不揮発性レジスタが含まれています。揮発性レジスタは、実行時にフラッシュを設定する簡単な方法を提供します。不揮発性レジスタは、電源がオフになっても設定を保持します。フラッシュパワーオンの初期化中に、不揮発性レジスタ設定が揮発性レジスタにロードされます。次に、揮発性レジスタがフラッシュの動作を決定します。

実行時に、揮発性レジスタの変更はすぐに有効になります。関連する不揮発性レジスタは変更されません。不揮発性レジスタを変更すると(つまり、不揮発性レジスタをプログラミングするWrite Any Register(WRAR)コマンドを使用して)、対応する揮発性レジスタも更新されます。新しい設定はすぐに有効になります。

不揮発性レジスタのプログラミングは、完了するまでに時間(tW)かかります。対応する揮発性レジスタは、WRARコマンドサイクルが開始された後、つまり、不揮発性レジスタのプログラミングが完了するのを待つのではなく、WRARコマンドサイクルの最後のCS#立ち上がりエッジの直後に更新されます。アプリケーションソフトウェアは、WRARコマンドの直後に新しい設定を使用してステータスレジスタをポーリングし、不揮発性レジスタのプログラミングの完全性を確認する必要があります。

複数のダイデバイスの場合、4バイトアドレスを必要としないいくつかのコマンドを除いて、上位のダイにアクセスするには4バイトアドレスが必要です。これらのコマンドは、アプリケーションによって発行されると、すべてのダイに自動的に送信されます。4バイトアドレスから3バイトアドレスにビットをアドレス指定する不揮発性レジスタを変更する場合、上位ダイの揮発性レジスタはWRARコマンドの直後に更新され、すぐに有効になります。したがって、上位のダイは3バイトのアドレッシングモードに変更され、アドレスを必要とするコマンドにはアクセスできません。より高いダイのポーリングステータスレジスタは機能しません。アプリケーションソフトウェアは、他のコマンドをフラッシュに送信する前に、最大プログラミング時間(tWmax)を待機する必要があります。

 

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16-Feb-2021
Kenshow

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JennaJo
Moderator
Moderator

SemperFlashの不揮発性レジスタを変更して揮発性レジスタを更新する - KBA232057-... - Cypress Developer Community

Dear, Kenshow-san

Thank you for your work.

Your translation has been published as below;

For the rewarding, I will publish new thread to update.

Thanks,

Best regards,

 

Jenna Jo
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