Hi,
I tried to translate this KBA228412 into Japanese.
Storing Information in Flash and Recovering After Reset in PSoC 4 Devices – KBA228412
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タイトル：PSoC 4デバイスでのフラッシュへの情報保存とリセット後の復旧 - KBA228412
バージョン：**
アプリケーションでWDTリセットが発生した回数をカウントするなど、ハードリセットやソフトリセットなどのリセット発生後に、幾つかのデータを復旧させる必要がある状況になる事があります。これはフラッシュへ情報を保存する事で出来ます。必要なユーザーデータがフラッシュに保存されている場合、内容はリセット後も保持されます。
フラッシュへ情報を保存する方法は3つあります。
- リンカスクリプトにフラッシュのカスタム配置を定義し、フラッシュ書き込みAPIを使用してその領域へ書き込む。
- ユーザーSflash領域を使用する
- EEPROMコンポーネントを使用し、EEPROM APIを使用してその位置へ書き込む
注意：使用しているデバイスによっては、全3オプションは利用出来ない場合があります。詳細はデバイスのデータシートを参照してください。
次の例は、WDTリセットが発生した回数をカウントし、カウント値をフラッシュ領域へ保存する方法を示します。
オプション1：リンカスクリプトにカスタム配置を定義
リンカスクリプトを変更して、フラッシュ領域にカスタム配置を定義して変数を保存する方法は、アプリケーションノート AN89610 - PSoC® 4 and PSoC 5LP Arm® Cortex® Code Optimization を参照してください。
次のコードスニペットを使用して、WDTリセットイベントを検出し、カウント変数を+1増加します。
/* To store the reset count */
volatile uint8 resetCounter CY_SECTION(".MY_Section1");
uint8 WDT_Count[128];
uint8 resetReason;
main()
{
CyGlobalIntEnable;
resetReason = CySysGetResetReason(CY_SYS_RESET_WDT|CY_SYS_RESET_PROTFAULT|CY_SYS_RESET_SW);
if(resetReason == CY_SYS_RESET_WDT)
{
WDT_Count[0] = resetCounter + 1;
returnVal = CySysFlashWriteRow(160u,WDT_Count); //Flash write can be done as only row operations.
}
オプション2：ユーザーSflash領域を使用する
一部のPSoC 4デバイスは、ユーザーデータの保存に使用できる専用Sflash領域をサポートしています。
Sflash領域を使用してユーザーデータを保存するには、次のコードを使用します。
uint8_t buff[CY_SFLASH_SIZEOF_USERROW];
uint8_t *mySFlash = (uint8_t*) CY_SFLASH_USERBASE;
resetReason = CySysGetResetReason(CY_SYS_RESET_WDT|CY_SYS_RESET_PROTFAULT|CY_SYS_RESET_SW);
if(resetReason == CY_SYS_RESET_WDT)
{
buff[0] = 1 + mySFlash[0];
CySysSFlashWriteUserRow(ROW_NUMBER,buff)
CyDelay(FLASH_WRITE_DELAY)
}
フラッシュ書き込みAPIの詳細は、PSoC 4 System Reference Guide を参照してください。
オプション3：EEPROMコンポーネントを使用し、EEPROM APIを使用してその場所へ書き込む
このアプローチはオプション2と同じですが、異なるAPIを使用します。アプリケーションでEEPROMを使用するには、オプション2のコードスニペットとコード例 CE195313 - PSoC Emulated EEPROM を参照してください。
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BR,
Omoi
