Hi Jenna-san,
Japanese translation was over.
Please check below.
Original KBA:
Selecting Provider FET for VBUS in CCG3PA Designs - KBA231884
Thanks,
Kenshow
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タイトル： CCG3PA設計におけるVBUS用プロバイダFETの選択 - KBA231884
バージョン：**
PチャネルMOSFETは、CCG3PA設計（CYPD3171、CYPD3174、CYPD3175、CYPD3195、およびCYPD3196部品）のVBUSプロバイダ制御FETとして使用されます。適切なP-MOSFETを選択するときは、次の点を考慮してください。
1.ドレイン-ソース間降伏電圧（V DS）
V DSブレークダウン電圧が、アプリケーション設計の最大VBUS_IN電圧より少なくとも10％高いことを確認してください。最大20VのVBUS電圧をサポートする電力供給（PD）設計の場合、VDSブレークダウン電圧が25V以上のFETを推奨します。
2.オン状態のドレイン電流（I D）
定格オン状態ドレイン電流（I D）がアプリケーションの最大VBUS電流よりも高いことを確認してください。最大 VBUS 電流 5A をサポートする PD デザインの場合、IDは 5A より大きくする必要があります。
3.ドレイン-ソースのオン状態抵抗（R DS（ON））
MOSFETのドレイン-ソース間抵抗は可能な限り低くする必要があります。R DS（ON）は 5 V VGSで10mΩ以下が望ましいです。PPSをサポートしたデザインの場合、FET間の電圧降下が少なく、3.2 V VGS程度でR DS（ON）を低くすることが重要です。
4.ゲートプラトー電圧（V GP）
ほとんどのパワーMOSFETのデータシートでは、VGS（TH） は250μAのID で指定されています。ゲートプラトー電圧（V GP）を使用して、MOSFETが完全に増強される（つまり、オンになる）ゲート-ソース間電圧を決定できます。最大定格ID のVGP は、FETのデータシートに明示的に記載されているか、またはVGs 対総ゲート電荷のプロットを使用して見つけることができます。FETのVGPは2.8V未満でなければなりません。これにより、3.2VのVGS の下でFETを完全にオンにすることができます
FET回路を設計する際のその他の考慮事項については、次のVBUSプロバイダFET回路の例を参照してください。
図1.VBUSプロバイダのFET回路
- CCG3PAは、FETがオンになると、VBUS_P_CTRLピンを0Vに駆動します。VGSの絶対最大定格が最大VBUS_IN電圧よりも大きいことを確認する必要があります。この条件が満たされない場合は、図に示すように、ツェナー電圧が絶対最大VGS未満のツェナーダイオード（D11）を使用して、ゲートをFET定格内のソース電圧にクリップすることができます。FETがVBUS_INより大きいVGSを処理できる場合、ダイオード（D11）は必要ありません。
- ツェナーダイオードを流れる電流を安全なレベルに制限するために、抵抗（R43）が追加されています。
- R5とR43の比率はできるだけ高くする必要があります。これにより、VBUS電圧の比較的低い値でより高いVGSが保証されます。
いくつかの推奨FET：
- インフィニオンテクノロジーズのIRF9358PbF
- ダイオーズ社のDMP3036SSD。
- ダイオーズ社のDMP3010LPSQ（自動車認定）
- VishaySiliconix社のSi7997DP
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9-Feb-2021
Kenshow
Hi Jenna-san,
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PチャネルMOSFETは、CCG3PA設計（CYPD3171、CYPD3174、CYPD3175、CYPD3195、およびCYPD3196部品）のVBUSプロバイダ制御FETとして使用されます。適切なP-MOSFETを選択するときは、次の点を考慮してください。
1.ドレイン-ソース間降伏電圧（V DS）
V DSブレークダウン電圧が、アプリケーション設計の最大VBUS_IN電圧より少なくとも10％高いことを確認してください。最大20VのVBUS電圧をサポートする電力供給（PD）設計の場合、VDSブレークダウン電圧が25V以上のFETを推奨します。
2.オン状態のドレイン電流（I D）
定格オン状態ドレイン電流（I D）がアプリケーションの最大VBUS電流よりも高いことを確認してください。最大 VBUS 電流 5A をサポートする PD デザインの場合、IDは 5A より大きくする必要があります。
3.ドレイン-ソースのオン状態抵抗（R DS（ON））
MOSFETのドレイン-ソース間抵抗は可能な限り低くする必要があります。R DS（ON）は 5 V VGSで10mΩ以下が望ましいです。PPSをサポートしたデザインの場合、FET間の電圧降下が少なく、3.2 V VGS程度でR DS（ON）を低くすることが重要です。
4.ゲートプラトー電圧（V GP）
ほとんどのパワーMOSFETのデータシートでは、VGS（TH） は250μAのID で指定されています。ゲートプラトー電圧（V GP）を使用して、MOSFETが完全に増強される（つまり、オンになる）ゲート-ソース間電圧を決定できます。最大定格ID のVGP は、FETのデータシートに明示的に記載されているか、またはVGs 対総ゲート電荷のプロットを使用して見つけることができます。FETのVGPは2.8V未満でなければなりません。これにより、3.2VのVGS の下でFETを完全にオンにすることができます
FET回路を設計する際のその他の考慮事項については、次のVBUSプロバイダFET回路の例を参照してください。
図1.VBUSプロバイダのFET回路
- CCG3PAは、FETがオンになると、VBUS_P_CTRLピンを0Vに駆動します。VGSの絶対最大定格が最大VBUS_IN電圧よりも大きいことを確認する必要があります。この条件が満たされない場合は、図に示すように、ツェナー電圧が絶対最大VGS未満のツェナーダイオード（D11）を使用して、ゲートをFET定格内のソース電圧にクリップすることができます。FETがVBUS_INより大きいVGSを処理できる場合、ダイオード（D11）は必要ありません。
- ツェナーダイオードを流れる電流を安全なレベルに制限するために、抵抗（R43）が追加されています。
- R5とR43の比率はできるだけ高くする必要があります。これにより、VBUS電圧の比較的低い値でより高いVGSが保証されます。
いくつかの推奨FET：
- インフィニオンテクノロジーズのIRF9358PbF
- ダイオーズ社のDMP3036SSD。
- ダイオーズ社のDMP3010LPSQ（自動車認定）
- VishaySiliconix社のSi7997DP
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9-Feb-2021
Kenshow
