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Hi,
I would like to translate KBA231884 into Japanese.
Please confirm to my work.
Thanks,
Kenshow
Solved! Go to Solution.
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CCG3PA
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Hi Jenna-san,
Japanese translation was over.
Please check below.
Original KBA:
Selecting Provider FET for VBUS in CCG3PA Designs - KBA231884
Thanks,
Kenshow
==============================
タイトル: CCG3PA設計におけるVBUS用プロバイダFETの選択 - KBA231884
バージョン:**
PチャネルMOSFETは、CCG3PA設計(CYPD3171、CYPD3174、CYPD3175、CYPD3195、およびCYPD3196部品)のVBUSプロバイダ制御FETとして使用されます。適切なP-MOSFETを選択するときは、次の点を考慮してください。
1.ドレイン-ソース間降伏電圧(V DS)
V DSブレークダウン電圧が、アプリケーション設計の最大VBUS_IN電圧より少なくとも10%高いことを確認してください。最大20VのVBUS電圧をサポートする電力供給(PD)設計の場合、VDSブレークダウン電圧が25V以上のFETを推奨します。
2.オン状態のドレイン電流(I D)
定格オン状態ドレイン電流(I D)がアプリケーションの最大VBUS電流よりも高いことを確認してください。最大 VBUS 電流 5A をサポートする PD デザインの場合、IDは 5A より大きくする必要があります。
3.ドレイン-ソースのオン状態抵抗(R DS(ON))
MOSFETのドレイン-ソース間抵抗は可能な限り低くする必要があります。R DS(ON)は 5 V VGSで10mΩ以下が望ましいです。PPSをサポートしたデザインの場合、FET間の電圧降下が少なく、3.2 V VGS程度でR DS(ON)を低くすることが重要です。
4.ゲートプラトー電圧(V GP)
ほとんどのパワーMOSFETのデータシートでは、VGS(TH) は250μAのID で指定されています。ゲートプラトー電圧(V GP)を使用して、MOSFETが完全に増強される(つまり、オンになる)ゲート-ソース間電圧を決定できます。最大定格ID のVGP は、FETのデータシートに明示的に記載されているか、またはVGs 対総ゲート電荷のプロットを使用して見つけることができます。FETのVGPは2.8V未満でなければなりません。これにより、3.2VのVGS の下でFETを完全にオンにすることができます
FET回路を設計する際のその他の考慮事項については、次のVBUSプロバイダFET回路の例を参照してください。
図1.VBUSプロバイダのFET回路
- CCG3PAは、FETがオンになると、VBUS_P_CTRLピンを0Vに駆動します。VGSの絶対最大定格が最大VBUS_IN電圧よりも大きいことを確認する必要があります。この条件が満たされない場合は、図に示すように、ツェナー電圧が絶対最大VGS未満のツェナーダイオード(D11)を使用して、ゲートをFET定格内のソース電圧にクリップすることができます。FETがVBUS_INより大きいVGSを処理できる場合、ダイオード(D11)は必要ありません。
- ツェナーダイオードを流れる電流を安全なレベルに制限するために、抵抗(R43)が追加されています。
- R5とR43の比率はできるだけ高くする必要があります。これにより、VBUS電圧の比較的低い値でより高いVGSが保証されます。
いくつかの推奨FET:
- インフィニオンテクノロジーズのIRF9358PbF
- ダイオーズ社のDMP3036SSD。
- ダイオーズ社のDMP3010LPSQ(自動車認定)
- VishaySiliconix社のSi7997DP
==============================
9-Feb-2021
Kenshow
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Hi, Kenshow-san
Confirm to work this KBA.
Please work to do.
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Hi Jenna-san,
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Kenshow
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タイトル: CCG3PA設計におけるVBUS用プロバイダFETの選択 - KBA231884
バージョン:**
PチャネルMOSFETは、CCG3PA設計(CYPD3171、CYPD3174、CYPD3175、CYPD3195、およびCYPD3196部品)のVBUSプロバイダ制御FETとして使用されます。適切なP-MOSFETを選択するときは、次の点を考慮してください。
1.ドレイン-ソース間降伏電圧(V DS)
V DSブレークダウン電圧が、アプリケーション設計の最大VBUS_IN電圧より少なくとも10%高いことを確認してください。最大20VのVBUS電圧をサポートする電力供給(PD)設計の場合、VDSブレークダウン電圧が25V以上のFETを推奨します。
2.オン状態のドレイン電流(I D)
定格オン状態ドレイン電流(I D)がアプリケーションの最大VBUS電流よりも高いことを確認してください。最大 VBUS 電流 5A をサポートする PD デザインの場合、IDは 5A より大きくする必要があります。
3.ドレイン-ソースのオン状態抵抗(R DS(ON))
MOSFETのドレイン-ソース間抵抗は可能な限り低くする必要があります。R DS(ON)は 5 V VGSで10mΩ以下が望ましいです。PPSをサポートしたデザインの場合、FET間の電圧降下が少なく、3.2 V VGS程度でR DS(ON)を低くすることが重要です。
4.ゲートプラトー電圧(V GP)
ほとんどのパワーMOSFETのデータシートでは、VGS(TH) は250μAのID で指定されています。ゲートプラトー電圧(V GP)を使用して、MOSFETが完全に増強される(つまり、オンになる)ゲート-ソース間電圧を決定できます。最大定格ID のVGP は、FETのデータシートに明示的に記載されているか、またはVGs 対総ゲート電荷のプロットを使用して見つけることができます。FETのVGPは2.8V未満でなければなりません。これにより、3.2VのVGS の下でFETを完全にオンにすることができます
FET回路を設計する際のその他の考慮事項については、次のVBUSプロバイダFET回路の例を参照してください。
図1.VBUSプロバイダのFET回路
- CCG3PAは、FETがオンになると、VBUS_P_CTRLピンを0Vに駆動します。VGSの絶対最大定格が最大VBUS_IN電圧よりも大きいことを確認する必要があります。この条件が満たされない場合は、図に示すように、ツェナー電圧が絶対最大VGS未満のツェナーダイオード(D11)を使用して、ゲートをFET定格内のソース電圧にクリップすることができます。FETがVBUS_INより大きいVGSを処理できる場合、ダイオード(D11)は必要ありません。
- ツェナーダイオードを流れる電流を安全なレベルに制限するために、抵抗(R43)が追加されています。
- R5とR43の比率はできるだけ高くする必要があります。これにより、VBUS電圧の比較的低い値でより高いVGSが保証されます。
いくつかの推奨FET:
- インフィニオンテクノロジーズのIRF9358PbF
- ダイオーズ社のDMP3036SSD。
- ダイオーズ社のDMP3010LPSQ(自動車認定)
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CCG3PA設計におけるVBUS用プロバイダFETの選択 - KBA231884 - Communi... - Cypress Developer Community
Dear, Kenshow-san
Thank you for your work.
Your translation has been published as below;
macOSバージョン11.0.1(Big Sur)を使用したModusToolbox用のEclips... - Cypress Developer Community
For the rewarding, I will publish new thread to update.
Thanks,
Best regards,