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Dear supporter
I want to translate the following KBA. Please confirm to my work.
Protecting a Portion of S25FS512S Main Memory Array and Using it as ‘READ-Only’ - KBA232840
Regards,
Nino
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S25FS512S
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Hi, Nino-san
Confirm to work this KBA.
Thanks.
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Dear Jenna
The following shows the translation in Japanese for targeted KBA. Please confirm and double check.
Regards,
Nino
S25FS512Sメインメモリアレイの一部の保護、および「読み取り専用」としてそれを使用する – KBA232840
Version: **
質問:
S25FS512Sのメインメモリアレイ(256Mb)の一部をどのようにして保護し、「読み取り専用」として使用できますか?
回答:
ステータスレジスタ-1の不揮発性ビットBP2, BP1, BP0(SR1NV[4:2])、および構成レジスタ-1の不揮発性ビット5CR1NV[5](TBPROT_O)ビットの組み合わせで、メインメモリアレイのアドレスレンジをプログラムおよび消去動作から保護できます。レンジのサイズはBPビットの値で決定され、レンジの上位および下位の開始点はTBPROT_Oビットで選択されます。メインメモリアレイの一部の保護スキームの実装で示してあるように、メインメモリアレイの下位部分(256Mb)の保護が例として使用されます。
Status Register-1 Nonvolatile bits SR1NV[4:2] (BP_NV2, BP_NV1, BP_NV0):
これらのビットは、プログラムおよび消去動作に対して、ソフトウェア保護されるメインフラッシュアレイエリアを定義します。BPビットは、1/64、1/32、1/16などからのレンジのメモリアレイの一部から、メモリアレイ全体までのメモリアレイをオプションで保護する事を許可します。BPビットが1つ以上「1」に設定されている場合、関連するメモリエリアがプログラムおよび消去動作から保護されます。以下はメインメモリエリアアレイ(256Mb)の下位部分を保護する設定です。
- BP_NV2 = 1
- BP_NV1 = 1
- BP_NV0 = 0
注: CR1NV[3](BPNV_O)は「0」で設定されたままであるに注意する事が重要です(初期は不揮発性)。
表1. ステータスレジスタ1不揮発性(SR1NV)
CR1NV[3](BPNV_O): BPビットは、構成レジスタCR1NV[3]のBP不揮発性ビット(BPNV_O)の状態によって、揮発性または不揮発性どちらかで選択されます。CR1NV[3]=0の場合、BPビット(SR1NV[4:2])の不揮発性バージョンがブロック保護の制御に使用され、書込みレジスタ(WRR)コマンドがSR1NV[4:2]に書込み、同じ値でSR1V[4:2]を更新します。CR1NV[3]=1の場合、BPビット(SR1V[4:2])の揮発性バージョンが、ブロック保護の制御に使用され、WRRコマンドがSR1V[4:2]に書込み、SR1NV[4:2]は影響を受けません。CR3NV[3]ビット(BPNV_O)は初期状態を維持し、「0」=不揮発性として設定する必要があります。CR1NV[3]は、パワーオンリセット(POR)、ハードウェアリセット、またはソフトウェアリセットの間、初期「0」=不揮発性として設定を維持し、SR1V[4:2]揮発性ビットの初期値としてSR1NV[4:2]のビット値はSR1V[4:2]にコピーされます。CR1NV[3]が「1」=揮発性に設定された場合、SR1V[4:2]揮発性(BP 2-0)ビットは、パワーオンリセット(POR)、ハードウェアリセット、またはソフトウェアリセットの後、バイナリ111に設定されます。表2および表3を参照してください。
CR1NV[5] (TBPROT_O): TBPROT_Oが「0」(インフィニオンから出荷される時の初期値)に設定される場合、ブロック保護はアレイの上位(最大アドレス)から開始するように定義されます。TBPROT_Oが「1」に設定される場合、ブロック保護はアレイの下位(ゼロアドレス)から開始するように定義されます。TBPROT_Oの所望状態は、メインフラッシュアレイの最初のプログラムまたは消去動作の前のシステム製造時のデバイスの初期構成の間に選択される必要があります。メインフラッシュアレイでプログラミングまたは消去を行った後に、CR1NV[5](TBPROT_O)はプログラムしないでください。
表2. 構成レジスタ1不揮発性(CR1NV)
表3. 保護開始下位アレイ(TBPROT_O = 1)
まとめ
ステータスレジスタ-1不揮発性ビットBP2、BP1、BP0(SR1V[4:2])および構成レジスタ-1不揮発性ビット5 CR1NV[5](TBPROT_O)の組み合わせで、メインメモリアレイ内のアドレスレンジがプログラムおよび消去動作から保護されます。しかし、TBPROT_Oの所望の状態は、メインフラッシュアレイで最初のプログラムまたは消去動作の前の、システム製造時のデバイスの初期構成の間に選択される必要があります。CR1NV[3]ビット(BPNV_O)に関しては、POR、ハードウェアリセットまたはソフトウェアリセットの間に「0」(不揮発性)に設定され、初期状態を維持する必要があり、SR1NV[4:2]のビット値は、SR1V[4:2]揮発性ビットの初期ビット値としてコピーされます。
より詳細は、S25FS512S データシートを参照してください。