Community Translation - Differences between WREN (06h) and WRENV (50h) commands for Infineon QSPI F

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Dear supporter

I want to translate the following KBA. Please confirm to my work.

Differences between WREN (06h) and WRENV (50h) commands for Infineon QSPI Flash families – KBA233510

Regards,

Nino

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Dear Jenna

The following shows the translation in Japanese for targeted KBA.

Please confirm and double check.

Regards,

Nino

 

インフィニオンQSPIフラッシュファミリのWREN(06h)とWRENV(50h)コマンドの違い – KBA233510

 

Version: **

 

書込み有効(WREN 06h)コマンドは、不揮発性データを変更するコマンドの前に書かれる必要があります。WREN(06h)コマンドは、ステータスレジスタ1(SR1V[1])の書込み有効ラッチ(WEL)ビットを「1」に設定します。書込み有効ラッチ(WEL)ビットは、書込み、プログラム、および消去コマンドを有効にするWREN(06h)コマンドを発行することで「1」に設定する必要があります。CS#は、命令バイトの8番目のビットがラッチされた後に、ロジックHIGH状態に駆動する必要があります。CS#を命令バイトの8番目のビットがラッチされた後にロジックHIGH状態に駆動されない場合、書込み有効動作は実行されません。WREN(06h)コマンドに続く書込みレジスタ(WRR)コマンドは、不揮発性ステータスレジスタおよび構成レジスタを変更します。揮発性ステータスレジスタおよび構成レジスタも、同時に自動的に更新されます。WREN(06h)は、全てのインフィニオンQSPIフラッシュファミリでサポートされます。

 

書込み有効揮発性(WRENV 50h)コマンドは、揮発性ステータスレジスタおよび構成レジスタのみを変更する場合に、書込みレジスタ(WRR)コマンドの前に書き込まれます。不揮発性ステータスレジスタおよび構成レジスタは変更されません。これにより、標準の不揮発性ビット書込みサイクルを待つことなく、またはステータスまたは構成不揮発性レジスタビットの耐久性に影響を与えずに、素早くシステム構成、およびメモリ保護スキームの変更に対して柔軟性をより高めます。しかし、この動作の後、揮発性や不揮発性ステータスレジスタと構成レジスタの値は同じにならない場合があります。揮発性レジスタ値はフラシュデバイスの動作を決定します。パワーサイクルまたはリセットの後、揮発性レジスタは不揮発性レジスタからの値を自動的に読み込みます。

 

WRENV(50h)コマンドは、書込み有効ラッチ(WEL)ビットを設定せず、不揮発性ステータスおよび構成レジスタビットの値を変更するように指示するためにのみ、以下のWRRコマンドが使用されます。命令バイトの8番目のビットがSI/IO0にラッチされた後に、CS#はロジックHIGH状態で駆動される必要があります。命令バイトの8番目のビットがラッチされた後に、CS#がロジックHIGH状態で駆動されない場合、書込み有効動作は実行されません。WRENV(50h)コマンドは、QSPIインターフェース製品を備えたS25FL-LおよびSEMPERTM フラッシュでのみサポートされます。

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JennaJo
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Hi, Nino-san

Confirm to translate this KBA.

Thanks,

Regards, 

Jenna Jo
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Dear Jenna

The following shows the translation in Japanese for targeted KBA.

Please confirm and double check.

Regards,

Nino

 

インフィニオンQSPIフラッシュファミリのWREN(06h)とWRENV(50h)コマンドの違い – KBA233510

 

Version: **

 

書込み有効(WREN 06h)コマンドは、不揮発性データを変更するコマンドの前に書かれる必要があります。WREN(06h)コマンドは、ステータスレジスタ1(SR1V[1])の書込み有効ラッチ(WEL)ビットを「1」に設定します。書込み有効ラッチ(WEL)ビットは、書込み、プログラム、および消去コマンドを有効にするWREN(06h)コマンドを発行することで「1」に設定する必要があります。CS#は、命令バイトの8番目のビットがラッチされた後に、ロジックHIGH状態に駆動する必要があります。CS#を命令バイトの8番目のビットがラッチされた後にロジックHIGH状態に駆動されない場合、書込み有効動作は実行されません。WREN(06h)コマンドに続く書込みレジスタ(WRR)コマンドは、不揮発性ステータスレジスタおよび構成レジスタを変更します。揮発性ステータスレジスタおよび構成レジスタも、同時に自動的に更新されます。WREN(06h)は、全てのインフィニオンQSPIフラッシュファミリでサポートされます。

 

書込み有効揮発性(WRENV 50h)コマンドは、揮発性ステータスレジスタおよび構成レジスタのみを変更する場合に、書込みレジスタ(WRR)コマンドの前に書き込まれます。不揮発性ステータスレジスタおよび構成レジスタは変更されません。これにより、標準の不揮発性ビット書込みサイクルを待つことなく、またはステータスまたは構成不揮発性レジスタビットの耐久性に影響を与えずに、素早くシステム構成、およびメモリ保護スキームの変更に対して柔軟性をより高めます。しかし、この動作の後、揮発性や不揮発性ステータスレジスタと構成レジスタの値は同じにならない場合があります。揮発性レジスタ値はフラシュデバイスの動作を決定します。パワーサイクルまたはリセットの後、揮発性レジスタは不揮発性レジスタからの値を自動的に読み込みます。

 

WRENV(50h)コマンドは、書込み有効ラッチ(WEL)ビットを設定せず、不揮発性ステータスおよび構成レジスタビットの値を変更するように指示するためにのみ、以下のWRRコマンドが使用されます。命令バイトの8番目のビットがSI/IO0にラッチされた後に、CS#はロジックHIGH状態で駆動される必要があります。命令バイトの8番目のビットがラッチされた後に、CS#がロジックHIGH状態で駆動されない場合、書込み有効動作は実行されません。WRENV(50h)コマンドは、QSPIインターフェース製品を備えたS25FL-LおよびSEMPERTM フラッシュでのみサポートされます。

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Hi, Nino san,

Confirmed to receive this KBA.

Thank you for your contribution.

Thanks,
Bindu

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