Community Translation - Corruption in a Particular Location of nvSRAM even Though WE# is Pulled Up to VCC - KBA83102

KaKi_1384211 · ‎Jul 06, 2020

Hi Jenna-san,

I want to translate KBA83102 into Japanese, please confirm to my work.

Thanks and regards,

Kiku

JennaJo · ‎Jul 08, 2020

Hi, Kiku-san

Confirm to work this KBA.

Thanks,

Jenna

Jenna Jo

KaKi_1384211 · ‎Jul 08, 2020

Hi Jenna-san,

Thank you for your confirmation

I have translated the following KBA83102 to Japanese.

_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/

【タイトル】

VCCにプルアップされているWE#端子を持つnvSRAMの特定領域での破損 - KBA83102

【質問】

WE#端子がVCCにプルアップされているにも関わらずnvSRAMの特定領域(通常0x0000) が破損する理由を教えてください。

【回答】

特定コントローラ / FPGAは起動時にI/OをLowに遷移する場合があります。

その結果、特定コントローラ / FPGAによって、WE#端子がLowに引っ張られる場合があります。

これにより、WE#端子のプルアップ抵抗がWE#端子のHigh論理を保証するには効果的に働かない場合があります。

この場合、起動中に特定のコントローラ / FPGAがこの端子をトライステートに設定されていることを確認する必要があります。

nvSRAMのWE#端子のプルアップ抵抗の必要性については、Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM – KBA83047.

で説明されています。

_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/

Thanks and regards,

Kiku

Re: Community Translation - Corruption in a Particular Location of nvSRAM even Though WE# is Pulled Up to VCC - KBA83102