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Hello, Kenshow-san
Confirm to work this KBA.
Thanks,
Jenna
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Hi Jenna-san,
Japanese translation was over.
Please check below.
Original KBA:
Erase, Program, and Verify Time for S25FL128S, S25FL256S and S25FL512S with 3.0V VIO - KBA219576
Thanks.
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タイトル: 3.0V VIOを持つS25FL128S、S25FL256S、およびS25FL512Sの消去、プログラム、およびベリフェイ時間 - KBA219576
バージョン:**
質問:
- 3.0V VIOでS25FL-Sファミリの各メモリを消去、プログラム、およびベリファイするのにどのくらい時間がかかりますか?
回答:
メモリ容量と典型的であるか最悪の場合であるかによって異なりますが、時間は1分から11分の間です。
通常の最大時間は、消去、プログラミングのデータシート値、およびプログラミングとベリファイのステップで計算されたシリアル転送時間から計算できます。リストされている各フラッシュファミリのデータシートソース、サンプルデータシートパフォーマンステーブル、および計算値については、以下を参照してください。スプレッドシート計算機も用意されています。
次のデータシートを参照してください。
- 001-98282 S25FL127S 128 Mbit 3.0V SPI Flash Memory (Rev H)
- 001-98282 S25FL128S/S25FL256S 128 Mbit/256 Mbit 3.0V SPI Flash Memory (Rev J)
ここにS25FL512Sデータシートのパフォーマンステーブルの例を示します。
同じコアとI / O電圧での最大読み取りレート(V 1O = V CC = 2.7V〜3.6V)
コマンド | クロックレート(MH Z) | Mバイト/秒 |
Read | 50 |
|
Fast Read | 133 |
|
Dual Read | 1043 | 26 |
Quard Read | 104 | 5 |
プログラムと消去のパフォーマンス
シンボル | パラメータ | 最小 | タイプ(1) | Max(2) | 単位 |
t W | WRR書き込み時間 |
| 560 | 2000 | m秒 |
t PP | ページプログラミング(512バイト) |
| 340 | 750/1300(3) | μ秒 |
t SE | セクタ消去時間 |
| 520 | 2600 | m秒 |
t BE | 一括消去時間(S25SL512S) |
| 103 | 460 | 秒 |
ノート:
- 一般的なプログラム時間と消去時間は、次の条件を想定しています:25°C、V CC = 3.0V; 10,000サイクル; チェッカーボードのデータパターン。
- 90°Cの最悪の場合の条件下で;最大10,000サイクル
- インダストリアル温度範囲/インダストリアルプラス温度範囲
添付のスプレッドシートは、参照されているデータシートからパフォーマンスパラメータを取得し、フラッシュアレイサイズ、セクタサイズ、書き込みバッファサイズとともに、デバイス全体の正味時間を計算します。
- シリアル転送時間の計算では、コマンドオーバーヘッドとシステム側のオーバーヘッドが無視されるため、計算では、クロックごとに転送されるビット、クロック速度、およびデバイス容量を使用して、正味の転送時間が計算されます。
- 使用可能な書き込みバッファサイズが複数ある場合は、ケースごとに正味のプログラム時間が計算されます。
- 最良の再プログラミング時間は、最速のシリアル転送時間に2を掛けたもの(プログラミング用に1回の転送、ベリファイ用に1回の転送)、最速の書き込みバッファプログラミング時間、および最速の消去時間です。
- 緑で強調表示されたセルは、カテゴリの最速時間を示しています。
最適な再プログラミング時間の使用:
- 転送時間:最高周波数で最も多くのIO(2倍;プログラミング用に1回、ベリファイ用に1回)
- プログラム時間:最大書き込みバッファサイズ
消去時間:チップ消去コマンドまたは最大セクタサイズ
S25FL512Sの性能は、インダストリアル(I)とインダストリアルプラス(I +)の温度グレードで異なることに注意してください。
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16-Nov-2020