Hi Jenna-san,
Thank you for your confirmation.
I have translated the following KBA to Japanese.
Byte Power Down feature in MoBL SRAMs
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【タイトル】
MoBL SRAMのバイトパワーダウン機能。
【質問】
Cypress MoBL SRAMのバイトパワーダウンは機能はどのようなピンコンフィギュレーションで機能しますか?
または、BHE#とBLE#の両方をディアサートするとデバイス選択は解除されますか?
どのデバイスにバイトパワーダウン機能が搭載されていますか?
【回答】
特定のMoBL SRAMに搭載されているバイトパワーダウン(BPD)機能はチップイネーブルとしてBHE#とBLE#の組合せを使用することにより
選択されていない状態を作り出すことができます。これはBHE#とBLE#を同時にディセーブルにするとI/Oはトライステート状態になることに
加え、チップがスタンバイモードに切り替わることを意味します。I/Oがトライステート状態になっている時のデバイスの消費電力を削減するため、
低電力アプリケーションに対して効果的な機能です。
上記のバイトパワーダウン(BPD) 機能を搭載したMoBL SRAMの製品名はCY621x7xであり、逆にバイトパワーダウン(BPD) 機能を搭載していない
MoBL SRAMの製品名はCY621x6xです。バイトパワーダウン(BPD)機能を搭載したCY621x7xシリーズのバイトイネーブルアクセス時間は
tDBE = tACE(BHE#とBLE#の組合せはチップイネーブルのような機能として動作) となります。一方、イトパワーダウン(BPD) 機能を搭載していない
CY621x6xシリーズのバイトイネーブルアクセス時間はtDBE = tDOE(BHE#とBLE#の組合せは出力イネーブルのような機能として動作) になります。
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Thanks and regards,
Kiku
