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Hi Jenna-san,
I want to translate KBA83047 into Japanese, please confirm to my work.
Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM – KBA83047
Thanks and regards,
Kiku
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Hi, Kiku-san
Confirm to work this KBA, please work to do.
Thanks,
Jenna
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Hi Jenna-san,
Thank you for your confirmation
I have translated the following KBA83047 to Japanese.
Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM – KBA83047
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【タイトル】
nvSRAMのWE#端子へのプルアップ抵抗 - KBA83047
【質問】
nvSRAMのWE#端子にプルアップ抵抗を接続する理由を教えてください。
また、そのプルアップ抵抗値を教えてください。
nvSRAMの特定領域が破損しているにも関わらず、他の全ての領域で正常に保存できる、また 復元される理由を教えてください。
【回答】
nvSRAMは通常アプリケーションのマイクロコントローラ、または マイクロプロセッサのI/Oに接続されます。
多くのマイクロコントローラとマイクロプロセッサは起動シーケンス中にI/Oをトライステートにします。
これらのI/Oは、アプリケーションプロセッサに応じて、電源投入後から数msから数百msの間で立ち上がります。
一方、nvSRAMのRECALL動作には大凡20ms必要とされます。その後、nvSRAMは通常アクセスの準備が整います。
アプリケーションプロセッサのI/Oが20ms以内に立ち上がらず、トライステートのCE#端子、及び WE#端子が論理Lowの
状態になった場合、nvSRAMの書き込み動作が開始されます。
この時、nvSRAMのアドレスラインの論理レベルをラッチし、その特定アドレス領域に対し、ランダムデータが書き込まれます。
nvSRAMを保護するためには、5.6KΩ~10KΩの外部プルアップ抵抗を使用してWE#端子をプルアップします。
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Thanks and regards,
Kiku