2 Replies Latest reply on Jul 8, 2020 10:11 PM by KaKi_1384211

    Community Translation - Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM - KBA83047

    KaKi_1384211

      Hi Jenna-san,

       

      I want to translate KBA83047 into Japanese, please confirm to my work.

      Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM – KBA83047

       

      Thanks and regards,

      Kiku

        • 1. Re: Community Translation - Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM - KBA83047
          JuyoungJ_06

          Hi, Kiku-san

          Confirm to work this KBA, please work to do.


          Thanks,

          Jenna

          • 2. Re: Community Translation - Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM - KBA83047
            KaKi_1384211

            Hi Jenna-san,

             

            Thank you for your confirmation

            I have translated the following KBA83047 to Japanese.

            Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM – KBA83047

             

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            【タイトル】

            nvSRAMWE#端子へのプルアップ抵抗 - KBA83047

             

            【質問】

            nvSRAMWE#端子にプルアップ抵抗を接続する理由を教えてください。

            また、そのプルアップ抵抗値を教えてください。

            nvSRAMの特定領域が破損しているにも関わらず、他の全ての領域で正常に保存できる、また 復元される理由を教えてください。

             

            【回答】

            nvSRAMは通常アプリケーションのマイクロコントローラ、または マイクロプロセッサのI/Oに接続されます。

            多くのマイクロコントローラとマイクロプロセッサは起動シーケンス中にI/Oをトライステートにします。

            これらのI/Oは、アプリケーションプロセッサに応じて、電源投入後から数msから数百msの間で立ち上がります。

            一方、nvSRAMRECALL動作には大凡20ms必要とされます。その後、nvSRAMは通常アクセスの準備が整います。

            アプリケーションプロセッサのI/O20ms以内に立ち上がらず、トライステートのCE#端子、及び WE#端子が論理Low

            状態になった場合、nvSRAMの書き込み動作が開始されます。

            この時、nvSRAMのアドレスラインの論理レベルをラッチし、その特定アドレス領域に対し、ランダムデータが書き込まれます。

            nvSRAMを保護するためには、5.6KΩ~10KΩの外部プルアップ抵抗を使用してWE#端子をプルアップします。

            _/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/

             

            Thanks and regards,

            Kiku