VBUS制御用のFETをN-chで

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cross mob
MiIk_4699481
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先日、別スレッドで下記のような質問をしました。

CCG3PAのVBUS制御

その際はFETはP-chのもので、という回答だったのですが、

デバイスを変更したらN-chでも実現可能なのでしょうか。

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1 解決策
TeMa_2997106
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ご回答ありがとうございます。

50mA刻みですと、やはりPPSが必須であると考えます。

受電側であればCYPD3177(BCR)もご検討いただけるのですが、

給電側ですとおすすめはやはりCCG3PAとなります。

CCG3PAはFETはPFETを使用しますが、ショートプロテクションが内蔵されているなど、

極力外付け部品を削減できるようIntegrateされたデバイスです。

FETの単価/入手性のみにとらわれずご検討いただければ幸いです。

以上です。

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5 返答(返信)
TeMa_2997106
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先回のご質問を回答した者です。

デバイスの変更をご検討、ということでしょうか。

今回、御社で行いたい制御(ご要求仕様)はどのようなものでしょうか。

それによっては別デバイスのご紹介も可能かもしれません。

ご提示、よろしくお願いします。

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ありがとうございます。引き続きよろしくお願いします。

Type-Cの制御で、給電のみを検討しています。充電系のアプリケーションのため、PD3.0のPPSを使って細かい電流値の設定を行いたいと考えています。

まだよくわかっていないのですが、PPSをサポートしているデバイスが少ないようで、CCG3PAをまずは選択しました。他に実現可能なものがあればご紹介してください。

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TeMa_2997106
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こちらこそ、毎度拙い回答で申し訳ありませんがよろしくお願いします。

ご入用とされている電流値の分解能はいかほどでしょうか。

ダイナミックの変更が大まかであったり、設定値の数が少ない場合は

その数のPDOを準備すれば実現可能かもしれません。

以上です。

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まだ決まっていませんが、規格上の50mA刻みで制御したいと考えています。できるだけ細かくしたいです。

これが使えると可能性が広がりそうなので、まずはどこまでできるのか、どれだけのことができるのかを検討したいと思います。

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TeMa_2997106
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ご回答ありがとうございます。

50mA刻みですと、やはりPPSが必須であると考えます。

受電側であればCYPD3177(BCR)もご検討いただけるのですが、

給電側ですとおすすめはやはりCCG3PAとなります。

CCG3PAはFETはPFETを使用しますが、ショートプロテクションが内蔵されているなど、

極力外付け部品を削減できるようIntegrateされたデバイスです。

FETの単価/入手性のみにとらわれずご検討いただければ幸いです。

以上です。

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