Community Translation - Voltage Ramp Rate Required for F-RAM™ Devices - KBA20427

[MiNe_85951]

Hi,

I would like to translate KBA20427 into Japanese, please confirm to my work

Regards,

Masashi

[JennaJo]

Hello, Masashi-san

Yes, it's good to translate.

Please work to do that.

Thanks,

Jenna

[MiNe_85951]

Jenna-san,

I have finished translating Japanese.
Please check the following.

Regards,

Masashi

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Voltage Ramp Rate Required for F-RAM™ Devices - KBA204270

F-RAM™デバイスに必要な電圧のランプレート-KBA204270

content.librarian が 2015/11/19 21:14 に作成。YuxianL_01 が 2017/09/04 20:45 に変更。       

Version: **

質問:

F-RAMデータシートで指定されているランプレートの値よりも速く電源をランプアップさせることは可能ですか？

回答:

F-RAMのデータシートに記載されているt_VR とt_VF のパラメータは、

サイプレス社のFRAMデバイスに必要なパワーアップおよびパワーダウンランプレートを指定します。

時間の単位はµs / Vで指定されており最小値がスペックされています。 この値は電源電圧が1 Vの変化に必要な最小時間です。

例：部品FM24CL16Bの場合、t_VR = 30 µs / V

この部品はパワーアップのランプレートが30 µs / Vを超える条件で正しく動作します。

つまり、適切な動作のために電源がゆっくりとランプアップする必要があります。

ただし、電源が30 µs / Vより速く立ち上がるとF-RAMとして望ましくない動作が発生します。

パワーアップ/ダウンランプレートがデータシートの制限を超えた場合、サイプレスはF-RAMの適切な動作を保証しません。

詳細については、下の図を参照してください。