FM22L16-55-TG のメモリプロテクションの手順について

[user_4317266]

前回メモリプロテクションが保存されないと質問させていただき、

無事、メモリプロテクションが保存されるようになりました。ご協力ありがとうございました。

再度メモリプロテクションに関して、いくつか質問があります。

１：メモリプロテクションの設定読み込み手順　8番目では

　　Figure 3.では、1AAAAhを読み込む。とありますが、Figure 4 Figure 5 では3AAAAhを読み込む。とあります。

　　1AAAAhが正しいという認識でよいでしょうか？

２：Figure 4、Figure 5の OEの記載について

　　Read時は、OEはLowとするよう記載されていますが、

　　シーケンス中の24555h、3AAAAhなどのReadではLowとなっておりません。

　　プロテクションのシーケンス時では　Read時、OEはHiとする必要があるのでしょうか？

　　値を使うことはありませんが、Lowとしてもプロテクションができています。

３： 耐久について、100 trillion (1014) read/writesとありますが、

　　メモリプロテクション後は、リードライトのどちらも影響しない。という認識でよいでしょうか？

　　メモリプロテクション後の読み込みは影響するが、

　　書き込みは影響しない。という認識でよいでしょうか？

[Takashi_M]

確認ですが、ご参照のドキュメントを教えて頂けないでしょうか？

FM22L16 4-Mbit (256K × 16) F-RAM datasheet

https://www.cypress.com/file/136476/download

を確認するとご質問にあるステップが違うように思われます。

上記Datasheetでは、write-protect address sequenceは

1. Read address 24555h

2. Read address 3AAAAh

3. Read address 02333h

4. Read address 1CCCCh

5. Read address 000FFh

6. Read address 3EF00h

7. Write address 3AAAAh

8. Write address 1CCCCh

9. Write address 0FF00h

10.Read address 00000h

になっており、Write-protect state machineは下記のように記載されております。

[user_4317266]

TakashiM_61さん

回答ありがとうございます。

参照しているドキュメントは、同じものでした。

紛らわしい記載となってしまいましたが、

1番の確認は、プロテクションの設定のシーケンスに対してではなく、

プロテクションの設定を読み出すシーケンスの記載についてで、

Figure 4ではなく、Figure 5でした。

[ShupingZ_76 · Accepted solution]

回答が遅くなり申し訳ございません。

下記のコメントをご参照ください。

1.ご指摘ありがとうございます。Figure 3 の1AAAAhが正しいです。

2.FM22L16は、プロテクションシーケンス時、CEがLOWかつWEがHIGHの場合、内部的にRead動作を認識します。

よって、プロテクションのシーケンスのReadには、OEはdo not careです。

3.書込みについて、メモリプロテクション後は耐久に影響しません。

読取りについて、FRAMは読取り後、内部には自動的に書き戻す動作を実行しますので、耐久に影響します。

[user_4317266]

返信遅れてしまい申しわけありません。

ShupingZ_76 さん。

回答ありがとうございます。

こちらの問題が解決し、非常に助かりました。

ありがとうございました。