6 07, 2018
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6 07, 2018
03:56 AM
S29JL032J70TFI020を実装した基板を、55℃又は-5℃の環境に数時間保管した後に、
通電すると、フラッシュメモリーのアクセス(イレース・ライト・リードチェック)がデータシートのスペック内ですが、非常に遅くなりました。
一度遅くなった基板はこれ以降も遅いのですが、このような現象、傾向は起こりますでしょうか?
3 返答(返信)
Anonymous
適用対象外
6 11, 2018
05:44 PM
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6 11, 2018
05:44 PM
下記について確認させてください。
1.具体的にどのアクセス(Erase or Program)が、どの程度遅くなったのか?
2.保管前と保管後での条件の違い(データパターン等)
3.実際にイレース・ライト・リードしている温度は?
よろしくお願いいたします。
Nada
6 13, 2018
12:51 AM
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6 13, 2018
12:51 AM
1.具体的にどのアクセス(Erase or Program)が、どの程度遅くなったのか?
→ 10倍程度遅くなった感覚です。
2.保管前と保管後での条件の違い(データパターン等)
→ 違いはありません。
3.実際にイレース・ライト・リードしている温度は?
→ 常温(15~25℃付近)です。
宜しくお願い致します。
6 13, 2018
03:15 AM
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6 13, 2018
03:15 AM
55℃ または -5℃での放置により、消去や書き込み時間が長くなることはありません。
データシートで規定している消去や書き込みのMax値は、90℃, Vcc=2.7V, 100万回消去後という最悪条件下での時間です。
アクセス(Erase or Program)が、10倍程度遅くなったと言われますが、実際に消去、書き込みに要している時間について、オシロスコープ等を使用しデバイスのRY/BY#信号のLow期間を測定していただけますか?
Nada