F-RAMプリチャージ操作 - KBA203628 - Community Translated (JA)

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    Translation - English: F-RAM Pre-Charge Operation - KBA203628

     

    質問:

    サイプレスパラレルF-RAMのプリチャージ動作とは何ですか?それはどのように機能しますか?パラレルF-RAMへのアクセス中にプリチャージ時間(t PC)が満たされない場合はどうなりますでしょうか?

     

    回答:

    プリチャージはF-RAMの内部状態であり、メモリは新しいアクセス用に調整されています。F-RAMのプリチャージ動作は、次のいずれかの条件で開始されます。

    1. チップイネーブル信号/CEHIGHにドライブ
    2. 上位アドレスビットの変更(たとえば、デバイスFM28V100A16-A3

    プリチャージ動作が開始されると、完了するまでにtPC時間かかります。F-RAMの読み取りは破壊的な性質を持つため、F-RAMセルのデータは、書き戻されないと失われてします。プリチャージ動作により、データがF-RAMセルに安全に書き戻されます。これは、内部バッファを使用することによって実現されます。アクセス(読み取り/書き込み)ごとに、F-RAMはデータの目的の行をメモリセルから内部バッファに読み取ります。データは、読み取り操作で内部バッファから出力されるか、書き込み操作で内部バッファで変更されます。これは、プリチャージ動作中にF-RAMセルに書き戻されます。以下にプリチャージ動作の例を説明します。

    行(row)サイズが8バイトのF-RAM(たとえば、FM28V100)について考えます。2番目のアドレス位置(0x0002)からデータを読み取るために、F-RAMは最初の行をF-RAMメモリアレイから内部バッファに読み取り、この内部バッファの2番目の位置からデータを出力します。次のアクセスがアドレス位置0x0005を読み取ることである場合、F-RAMは、内部バッファの5番目の位置からデータを出力します。これには、メモリの行が変更されていないため、正しいデータがすでに含まれています。次のアクセスがメモリアレイの2行目に属するアドレス位置0x0009へのアクセスである場合、F-RAMは最初の行を内部バッファからアレイに書き戻し、次に2行目を内部バッファに読み取ります。データは、内部バッファの最初の場所(0x0009に対応)から出力されます。

    3 番目の場所(0x0003)にデータを書き込むために、F-RAMF-RAMメモリアレイの最初の行を内部バッファに読み取り、内部バッファの3 番目の場所を書き込むデータに変更します。次に、チップの選択が解除されるか、別の行へのアクセスが開始されると、F-RAMは内部バッファをF-RAMアレイにライトバックします。

    各アクセスの後に、プリチャージ時間(t PC)を満たす必要があります。チップの選択を解除したり、別の行にアクセスしたりすると、プリチャージ時間が満たされなくなりメモリが破損する可能性があります。