F-RAM™データ保持に対するウェーブはんだ付けの影響 – KBA90429 - Community Translated (JA)

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    Translation - English: Effect of Wave Soldering on F-RAM™ Data Retention – KBA90429

     

    質問:

    F-RAMのデータ保持に対するウェーブはんだ付けの影響は何ですか?

     

    回答:

    考慮すべき3つの側面があり、それぞれが次の側面につながります。

    1. はんだ付けによるデータ保持(Data retention through soldering):サイプレスF-RAMデータ保持仕様は、書き込み温度、保存温度、読み取り温度など、指定された温度範囲内でF-RAMに書き込まれるデータに適用されます。F-RAM予備はんだ付けで書き込まれたデータの保持は、はんだ付け温度がこれらの温度範囲外であるため指定されていません。
    2. はんだ付けに耐えられるデータの保持時間(Retention time of data surviving soldering):はんだ付け温度は書き込み、読み取り、および保存の指定温度範囲を超えているため、サイプレスははんだ付けに耐えられるこれらデータの保持時間を指定していません。はんだ付け後にこのデータを書き換えることで、完全な保持寿命が得られます。
    3. はんだ付け後のデータの保持時間(Retention time of post-soldering data):

    はんだ付け後のデータは、はんだ付け後にアクセスされた場合(書き込みまたは読み取りに関係なく)、任意のビットのデータ(1または0にかかわらず)です。保持仕様は、すべてのはんだ付け後のデータに累積的に適用されます。前に述べた2つのケース(はんだ付けによるデータ保持と、はんだ付け後のデータの保持時間)は、データ保持仕様を変更しません。したがって、サイプレスははんだ付け後のデータのデータ保持時間のみを指定します。