サイCY8C201x0デバイスでのフラッシュ書き込みの失敗 - KBA85520プレスタイトル- Community Translated (JA)

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    Translation - English:  Flash Write Fail in CY8C201x0 Devices - KBA85520

     

    質問:

    CY8C201x0デバイスで「write configuration to flash」コマンドが失敗するのはなぜでしょうか?

     

    回答:

    一部のデバイスでは、3.0 V未満の動作電圧でフラッシュ書き込みが失敗します。主な理由は、より低い動作電圧でCPUクロック周波数が低下することです。その結果、「フラッシュ書き込み」ルーチンに時間がかかり、ルーチンが完了する前にウォッチドッグリセットが発生します。この問題は通常、ILOが比較的高速なデバイスで発生します(ILOがデータシートの仕様内としても)。

     

    回避策:

    スリープタイマーの有効期限が3回切れるとウォッチドッグリセットがトリガーされるため、設定をフラッシュに保存する前に、スリープタイマーの周波数(I 2 Cで設定可能)を8 Hz以下(V dd <3.0Vの場合)に下げます。