非同期SRAMのデータ保持手順について。- Community Translated (JA)

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    Community Translated by KaKi_1384211 Expert       Version: **

     

    Translation - English: Data Retention Procedure for Async SRAM's

     

    質問:

    Cypress非同期SRAMを使用して、バッテリーバックアップされたSRAM、及び RTCを設計します。

    そのため、数日間のバックアップ時間を確保するためにスーパーキャパシタを使用します。

    その際、/CE/WE/OEVccBATTにプルアップする必要はありますか?

    他に何か考慮する必要はありますか?

     

    回答:

    /CE1をプルアップするだけで十分です。これによりChipの選択が解除されます。

    SRAMChipイネーブルピン(/CE1、またはCE2) のいずれかを使用して、Chipを選択、または 選択解除できます。

    この場合、/CE1を使用して、Chipの選択を解除する場合は、CE2を常にHighに接続された状態にします。

    /CEがプルアップされている時に/WE/OEを制御する必要はありませんが、/WE/CEがトグルしていると

    デバイスが電流を消費している可能性がありますので、注意してください。

    データを保持するために、Vcc0Vに落としてはいけません。

    SRAMがデータを保持できる最低限の電圧までしか、低下させることはできません。

    (データシートのデータ保持モードの特性に明記されています。)

    また、電圧をVcc以下に下げる前に、/CEをプルアップする必要があります。