VCCにプルアップされているWE#端子を持つnvSRAMの特定領域での破損 - KBA83102 - Community Translated (JA)

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    Translation - English: Corruption in a Particular Location of nvSRAM even Though WE# is Pulled Up to VCC – KBA83102

     

    質問:

    WE#端子がVCCにプルアップされているにも関わらずnvSRAMの特定領域(通常0x0000) が破損する理由を教えてください。

     

    回答:

    特定コントローラ / FPGAは起動時にI/OLowに遷移する場合があります。

    その結果、特定コントローラ / FPGAによって、WE#端子がLowに引っ張られる場合があります。

    これにより、WE#端子のプルアップ抵抗がWE#端子のHigh論理を保証するには効果的に働かない場合があります。

    この場合、起動中に特定のコントローラ / FPGAがこの端子をトライステートに設定されていることを確認する必要があります。

    nvSRAMWE#端子のプルアップ抵抗の必要性については、Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM – KBA83047.

    で説明されています。