nvSRAMのWE#端子へのプルアップ抵抗 - KBA83047 - Community Translated (JA)

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    Translation - English: Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM – KBA83047

     

     

    【質問】

    nvSRAMWE#端子にプルアップ抵抗を接続する理由を教えてください。

    また、そのプルアップ抵抗値を教えてください。

    nvSRAMの特定領域が破損しているにも関わらず、他の全ての領域で正常に保存できる、また 復元される理由を教えてください。

     

    【回答】

    nvSRAMは通常アプリケーションのマイクロコントローラ、または マイクロプロセッサのI/Oに接続されます。

    多くのマイクロコントローラとマイクロプロセッサは起動シーケンス中にI/Oをトライステートにします。

    これらのI/Oは、アプリケーションプロセッサに応じて、電源投入後から数msから数百msの間で立ち上がります。

    一方、nvSRAMRECALL動作には大凡20ms必要とされます。その後、nvSRAMは通常アクセスの準備が整います。

    アプリケーションプロセッサのI/O20ms以内に立ち上がらず、トライステートのCE#端子、及び WE#端子が論理Low

    状態になった場合、nvSRAMの書き込み動作が開始されます。

    この時、nvSRAMのアドレスラインの論理レベルをラッチし、その特定アドレス領域に対し、ランダムデータが書き込まれます。

    nvSRAMを保護するためには、5.6KΩ~10KΩの外部プルアップ抵抗を使用してWE#端子をプルアップします。