CypressシリアルNOR Flash Memoryのレジスタ書き換えコマンド(WRR, Write Register) フロー中の電力損失 - KBA221246 - Community Translated (JA)

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    Translation - English: Power Loss During the Write Register (WRR) Operation in Serial NOR Flash Devices – KBA221246

     

    質問

    CypressシリアルNOR Flash Memoryのレジスタ書き換えコマンド(WRR, Write Register) フロー中に予期しない電力損失が発生した場合の挙動について。

     

    内容

    レジスタ書き換えコマンドフロー中に予期しない電力損失の発生、またはFlashに対してリセットが入った場合、レジスタ値が破損する可能性があり、

    システム内のFlash Memoryの動作に影響を及ぼす可能性があります。

    最悪のケースはシステムが想定しているFlash Memoryのコンフィグレーションと異なるコンフィグレーションになる可能性があるため、システムが機能しなくなることです。

    AN200381 - Best Practice for WRR Command for SPI Devices による最善の処置はシステムが継続的に電力供給できる環境が保証されている間に

    WRRコマンドを使用することです。

    これは、WRRコマンドによるレジスタ書き換えコマンドフローは量産書き込み時のみ使用し、通常のシステム動作中に使用しない方が良いことを意味します。

     

    WRRコマンドによるレジスタ書き換えコマンドフローを使用する最も一般的な項目はQUAD bitON、またはOFFすることです。

    多重化された(I/O、例えばWP#) ピン機能を使用しない場合、標準のレジスタ設定としてQUAD=1の状態でも問題はありません。

    この状態でSingle I/ODual I/O、及び Quad I/Oも動作するため、システムは自由に選択することができます。

     

    ステータスレジスタとコンフィグレーションレジスタの不揮発性領域、及び ワンタイププログラム(OTP) 領域のbit値は1つの非ユーザー領域のセクターに格納されます。

    これはステータスレジスタのみ(WRRコマンド後最初の8bit)、またはステータスレジスタとコンフィグレーションレジスタの両レジスタ(WRRコマンド後最初の8bit + 2番目の

    8bit) WRRコマンドによって書き換えている際に中断された場合、両レジスタの不揮発性領域のbit、もしくは OTP領域のbitが破損する可能性があります。

    その理由はメインFlash領域(ユーザー領域) に対するプログラム、及び 消去動作中の中断に対して注意が必要であることと同様に、この非ユーザー領域に対する

    プログラム、及び 消去動作中の中断に対しても注意が必要です。異なる点はレジスタ内のOTP領域のbitに適用される追加ロジックのため、メインFlash領域

    (ユーザー領域) で中断された際の復帰方法が、この非ユーザー領域のセクターでは機能しないことです。

     

    Cypress S25FL-Sファミリのようにステータスレジスタとコンフィグレーションレジスタの内容を揮発性領域へコピーする機能がないSPI Flash Memory

    上記アドバイスが適用されます。一方でS25FL-Lファミリのようにステータスレジスタとコンフィグレーションレジスタの内容を不揮発性領域に格納し、

    揮発性領域へのコピー機能を持ったSPI Flash Memoryの場合、上記アドバイスは不揮発性領域のレジスタにのみ適用され、システムは揮発性領域にコピーされた

    レジスタを変更することができます。