同期SRAMのI/Oスイッチング電力について - KBA82208- Community Translated (JA)
Employee
7 06, 2020
10:09 PM
- RSS フィードを購読する
- 新着としてマーク
- 既読としてマーク
- ブックマーク
- 購読
- 印刷用ページ
- 不適切なコンテンツを報告
7 06, 2020
10:09 PM
Community Translated by YoTa_1693656 Version: **
Translation - English: I/O Switching Power for Sync SRAM - KBA82208
質問:
同期SRAMのデータシートに記載しているIDD(VDDの動作電流)は、コア電流とI/O電流の合計値ですか?
回答:
いいえ。データシートに記載している電流値は、メモリ(IDD)のコアによる消費電流値です。
I/Oによって引き出される電流(IDDQ)は、データシートでは記載されておりません。その値は、デバイスのI/Oによって駆動される負荷とI/Oのスイッチング数に依存するためです。
同期SRAM製品のI/Oスイッチング電力を計算するには、下記リンクの電力計算ツールを使用してください。
http://www.cypress.com/?docID=23984
例として、QDR-IIメモリ(CY7C1315KV18 - 512 K x 36)について考えてみましょう。
- 活動係数 α = 1 (データはクロックの両エッジで転送される場合。ので、標準同期でNoBLの場合は0.5となります。)
- 最大クロック周波数 f = 333 MHz
- 負荷容量 CL= 5 pF (この値は実際のボードレイアウトとメモリの出力ピンから見た負荷容量に依存します。)
- スイッチングI/O数 N = 36 (これは負荷を駆動するI / Oの数です。)
- VDDQ = 1.9 V (最大)
式に基づいて、 P = α f CL VDDQ2 N
I/Oスイッチング電力 = 216 mW
IDDQ = 113 mA
回路設計者は、この値に応じた電源回路を設計する必要があります。
この記事を評価: