同期SRAMのI/Oスイッチング電力について - KBA82208- Community Translated (JA)

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    Translation - English: I/O Switching Power for Sync SRAM - KBA82208

     

    質問:

    同期SRAMのデータシートに記載しているIDD(VDDの動作電流)は、コア電流とI/O電流の合計値ですか?

     

    回答:

    いいえ。データシートに記載している電流値は、メモリ(IDD)のコアによる消費電流値です。

    I/Oによって引き出される電流(IDDQ)は、データシートでは記載されておりません。その値は、デバイスのI/Oによって駆動される負荷とI/Oのスイッチング数に依存するためです。

    同期SRAM製品のI/Oスイッチング電力を計算するには、下記リンクの電力計算ツールを使用してください。

    http://www.cypress.com/?docID=23984

    例として、QDR-IIメモリ(CY7C1315KV18 - 512 K x 36)について考えてみましょう。

    1. 活動係数 α = 1 (データはクロックの両エッジで転送される場合。標準同期でNoBLの場合は0.5となります。)
    2. 最大クロック周波数 f = 333 MHz
    3. 負荷容量 CL= 5 pF (この値は実際のボードレイアウトとメモリの出力ピンから見た負荷容量に依存します。)
    4. スイッチングI/O数 N = 36  (これは負荷を駆動するI / Oの数です。)
    5. VDDQ = 1.9 V (最大)

      式に基づいて、 P = α f CL VDDQ2 N

      I/Oスイッチング電力 = 216 mW

      IDDQ = 113 mA

     

    回路設計者は、この値に応じた電源回路を設計する必要があります。