非同期メモリ製品のCY62147GとCY62146Gの違い – KBA219723 - Community Translated (JA)

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    Translation - English: Differences between CY62147G and CY62146G Asynchronous Memory Parts – KBA219723

     

    質問:

    非同期SRAMのCY62147G/CY62147E/CY62157E/CY62167EおよびCY62146G/CY62136F/CY62146Eの違いを教えてください。

     

    回答:

    それらのデバイスはバイトパワーダウンの機能の点で異なります。型番CY62XX7Xの場合、BHE#/BLE#を同時に無効にするとデバイスの選択が解除され、スタンバイモードになります。すると、デバイスはISB2電流を消費します。型番CY62XX6Xの場合、BHE#/BLE#を同時に無効にするとOE#を無効にすることと同じ効果があります。

    I/Oが無効となるだけでデバイスは選択されたままです。このバイトパワーダウン機能の違いはデバイスがBHE#/BLE#アサーションでデータ出力を提供するのに要する時間 (tDBE) に影響します。

     

    tDBE (BLE#/BHE#がLOWからデータ有効) パラメータは、それぞれのデバイスで異なります。tDBEパラメータの比較については、以下の表を参照してください。

     

    パラメータ

    説明

    MPN

    期間

    tDBE

    BLE / BHE LOWからデータ有効まで      

    CY62147G

    CY62147E

    CY62157E

    CY62167E

    CY62167EV

    45ns

    45ns

    45ns

    45ns

    45ns

    tDBE          

    BLE / BHE LOWからデータ有効まで      

    CY62146G

    CY62136F

    CY62146E

          

    22ns

    22ns

    22ns

     

    tDBEパラメータについては、以下の図を参照してください。

     

    図1. 読み出しサイクル (OE#制御)

     

    タイミングパラメータの詳細については、デバイスのデータシートを参照してください。

     

    2つのシリーズの型番も真理値表が異なります。CY62147G/CY62147E/CY62157E/CY62167Eでは、BHE#/BLE#がHIGHの場合、デバイスの選択が解除されるか、パワーダウンします。CY62146G/CY62136F/CY62146Eでは、WE#がHIGHでチップが選択されている場合、I/Oのみが無効となります。したがって、CY62146G/CY62136F/CY62146Eは、このBHE#/BLE#の組合せでのみスタンバイ電流を消費する他の部品よりも、多くの電流を消費します。詳細についてはデータシートを参照してください。

     

    真理値表 – CY62146G/CY62146GE/CY62146GSL/CY62146GESL

     

    CE1#

    CE2

    WE#

    OE#

    BHE#

    BLE#

    入力/出力

    モード

    電力

    H

    X]

    X

    X

    X

    X

    HI-Z

    Deselect/Power-down

    Standby (ISB)

    X

    L

    X

    X

    X

    X

    HI-Z

    Deselect/Power-down

    Standby (ISB)

    L

    H

    H

    L

    L

    L

    Data Out (I/O0–I/O15)

    Read

    Active (ICC)

    L

    H

    H

    L

    H

    L

    Data Out (I/O0–I/O7);
    HI-Z (I/O8–I/O15)

    Read

    Active (ICC)

    L

    H

    H

    L

    L

    H

    HI-Z (I/O0–I/O7);
    Data Out (I/O8–I/O15)

    Read

    Active (ICC)

    L

    H

    H

    H

    X

    X

    HI-Z

    Output disabled

    Active (ICC)

    L

    H

    H

    X

    H

    H

    HI-Z

    Output disabled

    Active (ICC)

    L

    H

    L

    X

    L

    L

    Data In (I/O0–I/O15)

    Write

    Active (ICC)

    L

    H

    L

    X

    H

    L

    Data In (I/O0–I/O7);
    HI-Z (I/O8–I/O15)

    Write

    Active (ICC)

    L

    H

    L

    X

    L

    H

    HI-Z (I/O0–I/O7);
    Data In (I/O8–I/O15)

    Write

    Active (ICC)

     

    真理値表 – CY62147G/CY62147GE

    CE1#

    CE2

    WE#

    OE#

    BHE#

    BLE#

    入力/出力

    モード

    電力

    H

    X

    X

    X

    X

    X

    HI-Z

    Deselect/Power-down

    Standby (ISB)

    X

    L

    X

    X

    X

    X

    HI-Z

    Deselect/Power-down

    Standby (ISB)

    X

    X

    X

    X

    H

    H

    HI-Z

    Deselect/Power-down

    Standby (ISB)

    L

    H

    H

    L

    L

    L

    Data Out (I/O0–I/O15)

    Read

    Active (ICC)

    L

    H

    H

    L

    H

    L

    Data Out (I/O0–I/O7);
    HI-Z (I/O8–I/O15)

    Read

    Active (ICC)

    L

    H

    H

    L

    L

    H

    HI-Z (I/O0–I/O7);
    Data Out (I/O8–I/O15)

    Read

    Active (ICC)

    L

    H

    H

    H

    L

    H

    HI-Z

    Output disabled

    Active (ICC)

    L

    H

    H

    H

    H

    L

    HI-Z

    Output disabled

    Active (ICC)

    L

    H

    H

    H

    L

    L

    HI-Z

    Output disabled

    Active (ICC)

    L

    H

    L

    X

    L

    L

    Data In (I/O0–I/O15)

    Write

    Active (ICC)

    L

    H

    L

    X

    H

    L

    Data In (I/O0–I/O7);
    HI-Z (I/O8–I/O15)

    Write

    Active (ICC)

    L

    H

    L

    X

    L

    H

    HI-Z (I/O0–I/O7);
    Data In (I/O8–I/O15)

    Write

    Active (ICC)

     

    注:

    チップイネーブルの「X」(ドントケア) 状態は、ロジック状態 (HIGHまたはLOW) を指します。これらのピンの中間電圧レベルは許可されていません。