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Cypress Flash Memory に対して、数回レベルの消去サイクリングを実施した際、Flash Memoryのデータ保持期間はどのくらいが見込まれますか? - KBA203737 - Community Translated (JA)

Cypress Flash Memory に対して、数回レベルの消去サイクリングを実施した際、Flash Memoryのデータ保持期間はどのくらいが見込まれますか? - KBA203737 - Community Translated (JA)

GeethaP_31
Employee
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Community Translated by  KaKi_1384211        Version: **

Translation - English: How long will data be retained in Cypress Flash memory devices if only a few erase cycles are planne...

質問 :

Cypress Flash Memoryに対して、数回レベルの消去サイクリングを実施した際、Flash Memoryのデータ保持期間はどのくらいが見込まれますか?

回答 :

アプリケーションノートAN98549 - Endurance and Retention Management and Validationには、『1,000サイクル以下』 の累積消去サイクリングの場合、

通常のデータ保持期間は10年~20年になると明記されています。

従って、数回の消去サイクルのみのアプリケーションでは、データ保持期間は20年保持を期待できます。

一般的に数回レベルの消去サイクルが増えたとしても、データ保持期間に違いはございません。

製品を使用する環境の温度によって違いが生じます。

平均使用温度が55℃を基準に考えられているため、平均使用温度が高温下、特に長期間の場合、データ保持期間を見積もる必要があります。

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