低消費電力SRAMのスタンバイ電流とデータ保持電流の違い - KBA229710 - Community Translated (JA)

Version 7

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    Translation - English: Difference between Stand-by Current and Data Retention Current in Low Power SRAM - KBA229710

     

    問題:

    低消費電力SRAMのスタンバイ電流(Isb)とデータ保持電流(Iccdr)の違いを教えてください。 また、非活動モード(CE = HIGH) の消費電流はスタンバイ電流とデータ保持電流の合計値ですか?

     

    回答:

    スタンバイ電流 (Isb) は、非活動モード(CE = HIGH)でのデバイスの消費電流を示します。データシートではIsb1 Isb2を記載しています。Isb1値は入力信号(データとアドレス)が変化する時の非活動モードの 消費電流を示します。Isb2は入力信号(データとアドレス)が変化なし時の非活動モードの 消費電流を示します。

    データ保持電流(Iccdr) は、デバイスがデータを保持するために必要な消費電流を示します。通常Iccdrは、電池でバックアップするSRAMソリューションの中で、電池寿命を計算するために使用します。

    従って、非活動モード(CE = HIGH) の消費電流はスタンバイ電流です。